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原文传递 二次电子探测器、带电粒子光学成像设备及探测方法
专利名称: 二次电子探测器、带电粒子光学成像设备及探测方法
摘要: 本申请揭示了一种二次电子探测器、包含该二次电子探测器的带电粒子光学成像设备及探测方法。二次电子探测器,自二次电子探测器所形成的探测区对称中心径向向外形成至少三个相互隔离的圆环探测区,以通过所述圆环探测区接收自样品表面出射的二次电子。通过本申请所揭示的二次电子探测器及带电粒子光学成像设备,提高了对样品基于对二次电子探测所形成的检测图像表征样品本征形貌的准确度,克服了样品表面颗粒、凸起和边缘等特征处所导致的图形失真的缺陷,并具有不同方位角的二次电子的探测效果。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 上海;31
申请人: 上海精测半导体技术有限公司
发明人: 张旭
专利状态: 有效
申请日期: 2019-06-10T00:00:00+0800
发布日期: 2019-08-16T00:00:00+0800
申请号: CN201910494648.1
公开号: CN110133032A
代理机构: 苏州友佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人: 储振
分类号: G01N23/2251(2018.01);G;G01;G01N;G01N23
申请人地址: 201700 上海市青浦区徐泾镇双浜路269、299号1幢1、3层
主权项: 1.一种二次电子探测器,其特征在于, 自二次电子探测器所形成的探测区对称中心径向向外形成至少三个相互隔离的圆环探测区,以通过所述圆环探测区接收自样品表面出射的二次电子。 2.根据权利要求1所述的二次电子探测器,其特征在于,所述圆环探测区对不同出射角度的二次电子分别探测。 3.根据权利要求1所述的二次电子探测器,其特征在于,自所述探测区对称中心径向向外形成至少三个相互隔离且宽度相等的圆环探测区。 4.根据权利要求1所述的二次电子探测器,其特征在于,至少三个相互隔离的圆环探测区按方位角被径向划分为至少两个隔离并呈扇形的第一子探测区。 5.根据权利要求4所述的二次电子探测器,其特征在于,所述圆环探测区被划分为至少两个环形等分并隔离的第一子探测区。 6.根据权利要求1所述的二次电子探测器,其特征在于,所述探测区对称中心外设若干相互隔离的圆环探测区,并从对称中心形成至少一个圆环探测区,将余下的圆环探测区沿径向向外形成按方位角被径向划分为至少两个隔离并呈扇形的第二子探测区,所述圆环探测区与第二子探测区之间均呈隔离状态。 7.根据权利要求1、2、4或者5所述的二次电子探测器,其特征在于,多个相互隔离的圆环探测区的宽度自探测区对称中心径向向外逐渐递减。 8.根据权利要求7所述的二次电子探测器,其特征在于,多个圆环探测区的面积相等。 9.一种带电粒子光学成像设备,其特征在于,包括:用于产生带电粒子束的发射源,第一汇聚透镜,如权利要求1至8中任一项所述的二次电子探测器,偏转器及第二汇聚透镜; 其中, 样品受入射的带电粒子束轰击所产生的二次电子在第二汇聚透镜所产生的磁场的引导下,到达二次电子探测器的表面,以被二次电子探测器所捕获。 10.一种带电粒子光学成像设备,其特征在于,包括:用于产生带电粒子束的发射源,第一汇聚透镜,如权利要求1至8中任一项所述的二次电子探测器,偏转器、二次电子角度偏转器及第二汇聚透镜; 其中, 所述发射源与二次电子探测器形成旁轴设置; 样品受入射的带电粒子束轰击所产生的二次电子在第二汇聚透镜所产生的磁场的和二次电子角度偏转器的引导下,到达二次电子探测器的表面,以被二次电子探测器所捕获。 11.一种使用二次电子探测器对带电粒子探测的探测方法,其特征在于,所述探测方法基于如权利要求1至8中任一项所述的二次电子探测器实现,所述探测方法包括: 二次电子探测器所形成的圆环探测区或者第一子探测区或者第二子探测区基于接收二次电子形成独立的若干子电流信号; 对若干子电流信号分别赋予权重系数; 根据基于二次电子所形成的图像对权重系数予以调整。
所属类别: 发明专利
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