专利名称: |
一种采用表面磁导技术的缺陷检测装置及检测方法 |
摘要: |
本发明适用于无损检测技术领域,提供一种采用表面磁导技术的缺陷检测装置及检测方法,所述缺陷检测装置包括磁桥,所述磁桥两端下方各设置一块磁铁,这两块磁铁极性方向相反放置,其中一块磁铁的下方固定有磁敏元件。本发明可以区分上表面焊瘤和腐蚀坑,有利于排除焊瘤对检测信号的干扰;另外结合漏磁检测技术,可以进一步区分缺陷在上表面或下表面,可以确定缺陷的位置,更准确的评估储罐的剩余寿命;另外,在缺陷定量方面,可以确定缺陷的深度;此外,对于缺陷形貌的检测更准确,同时麻坑太多时的检测问题也得到了解决,通过表面磁导技术所得数据,可以检测出上表面的蜂窝麻面。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
湖北;42 |
申请人: |
西红柿科技(武汉)有限公司 |
发明人: |
卢永雄;阮鸥;陆智明;王康;黄威;王子豪;赵琴;关江浩;凌威 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-05-22T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-08-30T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910427705.4 |
公开号: |
CN110187001A |
代理机构: |
深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 |
代理人: |
马世中 |
分类号: |
G01N27/82(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
申请人地址: |
430074 湖北省武汉市东湖开发区花城大道9号软件新城A3栋1楼 |
主权项: |
1.一种采用表面磁导技术的缺陷检测装置,其特征在于,所述缺陷检测装置包括磁桥,所述磁桥两端下方各设置一块磁铁,这两块磁铁极性方向相反放置,其中一块磁铁的下方固定有磁敏元件。 2.如权利要求1所述采用表面磁导技术的缺陷检测装置,其特征在于,所述两块磁铁之间设置有漏磁检测传感器。 3.一种采用表面磁导技术的缺陷检测方法,其特征在于,所述方法采用如权利要求1或2所述的缺陷检测装置实现,所述方法包括下述步骤: 操作缺陷检测装置在待检测对象表面扫描,扫描过程中保持缺陷检测装置与待检测对象一定提离值不变; 在扫描过程中,如果磁敏元件输出的信号值变小,则判定当前磁敏元件对应待检测对象上表面位置出现了腐蚀坑,如果磁敏元件输出的信号值变大,则判定当前磁敏元件对应待检测对象上表面位置出现了焊瘤。 4.如权利要求3所述采用表面磁导技术的缺陷检测方法,其特征在于,所述方法还包括下述步骤: 在扫描过程中,如果漏磁检测传感器检测到有漏磁信号,这里当前漏磁检测传感器对应待检测对象位置称为漏磁位置,操作缺陷检测装置使得磁敏元件经过该漏磁位置,如果磁敏元件输出的信号值不变,则判断当前待检测对象漏磁位置下表面出现了腐蚀坑。 |
所属类别: |
发明专利 |