专利名称: |
一种浓度梯度校准芯片的制备方法及其校准方法 |
摘要: |
本发明公开了一种浓度梯度校准芯片的制备方法,包括如下步骤:取含有反应池的微流体芯片;用荧光纳米材料配制形成混合液,并将该混合液按比例稀释成不同的梯度浓度;将不同梯度浓度的混合液分别点制在各个反应池内;经点制完成的微流体芯片表面上覆膜形成校准芯片;还公开了浓度梯度校准芯片的校准方法,包括:采集一组标准数据和一组待测数据;将标准数据与待测数据作线性拟合,计算两组数据的线性相关系数R2和斜率K值,并判断是否满足线性相关系数R2>0.95,0.95<斜率K值<1.05,以最终完成校准,以达到对仪器荧光信号范围校准且校准准确性较高的目的,同时能够提高校准芯片的制备成品率,降低制备成本。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
四川;51 |
申请人: |
成都博奥晶芯生物科技有限公司 |
发明人: |
吉锋;张冠斌;安爽;郑双奇 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-06-12T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-08-20T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910504594.2 |
公开号: |
CN110146477A |
代理机构: |
成都九鼎天元知识产权代理有限公司 |
代理人: |
钱成岑 |
分类号: |
G01N21/64(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
申请人地址: |
611135 四川省成都市温江区永宁镇八一路北段88号 |
主权项: |
1.一种浓度梯度校准芯片的制备方法,其特征在于,该制备方法包括如下步骤: (1)取微流体芯片,该微流体芯片设有n个反应池,且n≥3; (2)用荧光纳米材料配制形成混合液,并将该混合液按比例稀释成m个不同的梯度浓度,且m≥3; (3)将不同梯度浓度的混合液分别点制在各个反应池内; (4)经点制完成的微流体芯片表面上进行覆膜,以形成校准芯片。 2.根据权利要求1所述的浓度梯度校准芯片的制备方法,其特征在于,将n个反应池分成多个组,各组依次排布于微流体芯片上且各组均包括i个反应池,且i=m。 3.根据权利要求1或2所述的浓度梯度校准芯片的制备方法,其特征在于,各所述反应池沿同一圆周方向均匀分布于所述微流体芯片的表面上。 4.根据权利要求1所述的浓度梯度校准芯片的制备方法,其特征在于,所述微流体芯片通过塑料材质加工而成。 5.根据权利要求1所述的浓度梯度校准芯片的制备方法,其特征在于,所述校准芯片的荧光信号值范围在0~65535之间。 6.一种浓度梯度校准芯片的校准方法,其特征在于,该校准方法基于权利要求1-5任意一项所述的浓度梯度校准芯片的制备方法所制备的校准芯片,包括如下步骤: (a)将校准芯片置于标准分析仪器上进行扫描,并采集一组标准数据; (b)将步骤(a)中的校准芯片置于待校分析仪器上进行扫描,并采集一组待测数据; (c)将标准数据与待测数据作线性拟合,计算两组数据的线性相关系数R2和斜率K值,并设定约束要求如下:线性相关系数R2>0.95,0.95<斜率K值<1.05; (d)若线性相关系数R2和斜率K值不满足约束要求时,修正待校分析仪器的荧光采集参数,并返回至步骤(b);若线性相关系数R2和斜率K值均满足约束要求时,则表明待校分析仪器的荧光采集参数符合要求,完成校准。 7.根据权利要求6所述的浓度梯度校准芯片的校准方法,其特征在于,所述步骤(c)中可通过手动方式或软件方式计算线性相关系数R2和斜率K值。 8.根据权利要求6所述的浓度梯度校准芯片的校准方法,其特征在于,所述(d)中可通过手动方式或软件方式对待校分析仪器的荧光采集参数进行修正。 |
所属类别: |
发明专利 |