专利名称: |
金三角凹坑阵列材料及其制备方法和用途 |
摘要: |
本发明公开了一种金三角凹坑阵列材料及其制备方法和用途。材料由覆于亲水衬底上的金微米三角凹坑阵列组成,其中,构成阵列的凹坑为六方有序排列,且其三角的任一边均与其它凹坑的一边平行,凹坑间为紧密链接的聚苯乙烯胶体微球,凹坑的坑边和坑底均由粒径为15‑50nm的金纳米颗粒构成;方法为先将聚苯乙烯胶体微球置于亲水衬底上形成单层胶体晶体模板后,对其加热,得到其上的相邻微球紧密链接的单层胶体晶体模板,再于其表面溅射金膜后,置于碱溶液中浸泡至由表面覆有金膜的相邻微球紧密链接的微球组成的薄膜从亲水衬底上脱落,之后,将薄膜的覆有金膜的一面覆于亲水衬底上,制得目的产物。它可作为SERS活性基底,测量其上附着的痕量噻菌灵或福美双。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
安徽;34 |
申请人: |
中国科学院合肥物质科学研究院 |
发明人: |
朱储红;孟国文;王秀娟 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-05-23T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-08-20T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910431769.1 |
公开号: |
CN110146485A |
代理机构: |
合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) |
代理人: |
任岗生 |
分类号: |
G01N21/65(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
申请人地址: |
230031 安徽省合肥市蜀山湖路350号2号楼1110信箱 |
主权项: |
1.一种金三角凹坑阵列材料,由附于衬底上的金阵列组成,其特征在于: 所述衬底为亲水衬底; 所述金阵列为金微米三角凹坑阵列; 所述组成金微米三角凹坑阵列的金微米三角凹坑为六方有序排列,且其三角的任一边均与其它三角凹坑的一边平行,金微米三角凹坑间为紧密链接的球直径为1.8-2.2μm的聚苯乙烯胶体微球; 所述金微米三角凹坑的坑边长为0.6-1μm、坑深为0.4-1.2μm; 所述金微米三角凹坑的坑边和坑底均由金纳米颗粒构成; 所述金纳米颗粒的粒径为15-50nm。 2.根据权利要求1所述的金三角凹坑阵列材料,其特征是亲水衬底为硅片衬底,或玻璃衬底,或金属片衬底。 3.一种权利要求1所述金三角凹坑阵列材料的制备方法,包括镀金法,其特征在于主要步骤如下: 步骤1,先将聚苯乙烯胶体微球置于亲水衬底上形成单层胶体晶体模板,再将单层胶体晶体模板置于110-120℃下加热10-20min,得到其上的相邻微球紧密链接的单层胶体晶体模板; 步骤2,先于其上的相邻微球紧密链接的单层胶体晶体模板的表面溅射150-300nm厚的金膜,再将其上的表面覆有金膜的相邻微球紧密链接的单层胶体晶体模板置于38-42℃下的0.03-0.07mol/L的碱溶液中浸泡,直至由表面覆有金膜的相邻微球紧密链接的微球组成的薄膜从亲水衬底上脱落; 步骤3,将由表面覆有金膜的相邻微球紧密链接的微球组成的薄膜的覆有金膜的一面覆于亲水衬底上,制得金三角凹坑阵列材料。 4.根据权利要求3所述的金三角凹坑阵列材料的制备方法,其特征是将由表面覆有金膜的相邻微球紧密链接的微球组成的薄膜的覆有金膜的一面覆于亲水衬底上之前,对其使用水进行漂洗。 5.根据权利要求3所述的金三角凹坑阵列材料的制备方法,其特征是亲水衬底为硅片衬底,或玻璃衬底,或金属片衬底。 6.根据权利要求3所述的金三角凹坑阵列材料的制备方法,其特征是碱溶液为氢氧化钠水溶液,或氢氧化钾水溶液,或氢氧化锂水溶液。 7.一种权利要求1所述金三角凹坑阵列材料的用途,其特征在于: 将金三角凹坑阵列材料作为表面增强拉曼散射的活性基底,使用激光拉曼光谱仪测量其上附着的噻菌灵或福美双。 8.根据权利要求7所述的金三角凹坑阵列材料的用途,其特征是激光拉曼光谱仪的激发光的波长为532nm、功率为0.05-1.5mW,积分时间为1-30s。 |
所属类别: |
发明专利 |