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原文传递利用核自旋单态选择性检测N-乙酰天冬氨酸的方法

专利名称：	利用核自旋单态选择性检测N-乙酰天冬氨酸的方法
摘要：	本发明公开了一种利用核自旋单态选择性检测N‑乙酰天冬氨酸的方法，该方法通过制备N‑乙酰天冬氨酸亚甲基和次甲基上三个H原子的核自旋单态，并利用核自旋单态不受梯度场影响的性质实现在复杂混合体系中对N‑乙酰天冬氨酸信号的选择性观测。该测定方法具有灵敏度、精确度高，干扰小，选择性和重现性好等优点，能够在组成成分复杂的体系中抑制其它相关干扰物质的信号，最终得到所需要观测的N‑乙酰天冬氨酸的信号。有望监测N‑乙酰天冬氨酸在生物活体内的含量和分布，在与生物学、医学等相关的生产生活领域具有重要的应用价值。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	华东师范大学
发明人：	李毅;辛家祥;刘慧霞;魏达秀;王嘉琛;姚叶锋
专利状态：	有效
申请日期：	2019-05-06T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-20T00:00:00+0800
申请号：	CN201910371013.2
公开号：	CN110146535A
代理机构：	上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙)
代理人：	徐筱梅;张翔
分类号：	G01N24/08(2006.01);G;G01;G01N;G01N24
申请人地址：	200241 上海市闵行区东川路500号
主权项：	1.一种利用核自旋单态选择性检测N-乙酰天冬氨酸的方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：步骤1：将预先配好的质量分数为0.4％-0.6％的N-乙酰天冬氨酸的氘水溶液放置于磁共振谱仪中，对N-乙酰天冬氨酸的氘水溶液施加90°硬脉冲，激发氘水溶液即样品中的H信号，得到N-乙酰天冬氨酸分子的1H谱，测量获得N-乙酰天冬氨酸分子亚甲基和次甲基上三个H的化学位移和相互之间J耦合的大小；步骤2：根据SLIC脉冲的形式，利用步骤1得到的N-乙酰天冬氨酸分子亚甲基和次甲基上三个H的化学位移和相互之间J耦合的大小，通过MATLAB软件，计算N-乙酰天冬氨酸分子亚甲基和次甲基上三个H组成三自旋系统制备和检测N-乙酰天冬氨酸单态所需的脉冲参数；步骤3：将SLIC脉冲的形式和步骤2计算所得脉冲参数进行组合得到的完整脉冲，施加仪器磁体中的N-乙酰天冬氨酸氘水溶液，制备获得亚甲基和次甲基上三个H组成的三自旋系统的单态，并检测其单态信号；步骤4：在步骤3制备和检测N-乙酰天冬氨酸单态的基础上，在SLIC脉冲序列中制备单态脉冲和检测单态脉冲之间，增加cw去耦脉冲和两个不同强度的梯度场，组成新的脉冲；增加cw去耦脉冲和两个不同强度的梯度场后，滤掉三自旋系统中的非单态信号，并检测到N-乙酰天冬氨酸上核自旋单态的信号，实现选择性滤波。 2.根据权利要求1所述利用核自旋单态选择性检测N-乙酰天冬氨酸的方法，其特征在于，步骤1所述N-乙酰天冬氨酸分子的1H谱，4.63ppm处的三重峰为N-乙酰天冬氨酸次甲基上H的信号，4.69ppm处的单峰为水信号，2.82ppm处的一组峰是N-乙酰天冬氨酸分子亚甲基上两个H的信号。 3.根据权利要求1所述利用核自旋单态选择性检测N-乙酰天冬氨酸的方法，其特征在于，步骤2所述SLIC脉冲的形式，具体为：先对样品施加相位处于y方向的90°硬脉冲，再施加相位处于x方向、时间为τ1、功率为plw1的软脉冲，以此制备N-乙酰天冬氨酸分子的单态；然后施加相位处于x方向、时间为τ1、功率为plw1的软脉冲，该软脉冲为检测脉冲，最后ADC采样，直到fid衰减完；所述通过MATLAB软件，计算三自旋系统下制备N-乙酰天冬氨酸单态和检测N-乙酰天冬氨酸单态所需的脉冲参数，具体为：首先，在MATLAB脚本里构建三自旋体系的64个基算符，再写出N-乙酰天冬氨酸分子亚甲基和次甲基构成三自旋体系的哈密顿量，最后得到x方向的90°硬脉冲和时间为，功率为plw1软脉冲所对应的操作算符；而后体系由热平衡信号不断在硬脉冲的操作算符和哈密顿量下进行演化，不断改变τ1，plw1的取值，使得单态转化率达到最大值。 4.根据权利要求1所述利用核自旋单态选择性检测N-乙酰天冬氨酸的方法，其特征在于，步骤3所述制备获得亚甲基和次甲基上三个H组成的三自旋系统的单态，并检测其单态信号，具体为：将所得到的完整脉冲，用磁共振仪器的语言写入计算机，然后进行锁场、匀场及调谐操作，最后将发射机的射频中心对准N-乙酰天冬氨酸亚甲基两个H信号的中间，施加已写入的完整脉冲，制备并检测N-乙酰天冬氨酸分子的单态。 5.根据权利要求1所述利用核自旋单态选择性检测N-乙酰天冬氨酸的方法，其特征在于，步骤4所述在SLIC脉冲序列中制备单态脉冲和检测单态脉冲之间，增加cw去耦脉冲和两个不同强度的梯度场，组成新的脉冲，具体为：cw去耦脉冲的施加时间在50ms到1s之间，功率为0.01W到01W；两个不同强度的梯度场要求施加时间在1ms到5ms之间，功率为5Gs/cm到10Gs/cm，方向处于z方向。
所属类别：	发明专利