专利名称: |
中子化学战剂无损检测系统 |
摘要: |
本发明提出了一种中子化学战剂无损检测系统,包括氘离子发射装置、氘靶,靶室、被测样品放置区、γ射线探测器,氘靶设置在靶室内,氘离子发射装置设置在靶室外侧朝向氘靶并能朝向氘靶发射氘离子,氘靶被氘离子照射会发射中子束,被测样品放置区设置在中子束的出射方向上,γ射线探测器设置在被测样品放置区周围用于探测被中子束照射的样品发出的γ射线。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
山西;14 |
申请人: |
杨振敏 |
发明人: |
杨振敏 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-05-29T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-08-23T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910458373.6 |
公开号: |
CN110161062A |
分类号: |
G01N23/05(2006.01);G;G01;G01N;G01N23 |
申请人地址: |
035503 山西省忻州市五台县东冶镇北大兴一村东一巷6号 |
主权项: |
1.一种中子化学战剂无损检测系统,其特征在于:包括氘离子发射装置、氘靶,靶室、被测样品放置区、γ射线探测器,氘靶设置在靶室内,氘离子发射装置设置在靶室外侧朝向氘靶并能朝向氘靶发射氘离子,氘靶被氘离子照射会发射中子束,被测样品放置区设置在中子束的出射方向上,γ射线探测器设置在被测样品放置区周围用于探测被中子束照射的样品发出的γ射线。 2.根据权利要求1所述的一种中子化学战剂无损检测系统,其特征在于:所述的靶室上设有中子束出射口,所述的中子束出射口设有第一屏蔽体。 3.根据权利要求2所述的一种中子化学战剂无损检测系统,其特征在于:被测样品放置区与第一屏蔽体之间设有第二屏蔽体,第二屏蔽体靠近被测样品放置区设置。 4.根据权利要求1所述的一种中子化学战剂无损检测系统,其特征在于:所述的靶室上设有α粒子束出射口,α粒子束出射口与中子束出射口位于同一直线上且分别位于靶室的两相对侧壁上,氘靶被氘离子照射会发射出与中子束方向相反的α粒子束,还包括α粒子探测器,所述的α粒子探测器设置在α粒子束出射口。 5.根据权利要求4所述的一种中子化学战剂无损检测系统,其特征在于:还包括数据采集装置,所述的数据采集装置分别与α粒子探测器和γ射线探测器连接。 6.根据权利要求3所述的一种中子化学战剂无损检测系统,其特征在于:所述的第一屏蔽体为铁屏蔽体。 7.根据权利要求3所述的一种中子化学战剂无损检测系统,其特征在于:所述的第二屏蔽体为铅屏蔽体。 8.根据权利要求6所述的一种中子化学战剂无损检测系统,其特征在于:所述的第一屏蔽体上设有锥形的中子束通道,中子束通道为靠近中子束出射口端小,远离中子束出射口端大。 9.根据权利要求4所述的一种中子化学战剂无损检测系统,其特征在于:α粒子探测器和α粒子束出射口之间设有第三屏蔽体,所述的第三屏蔽体上设有锥形的α粒子束通道,α粒子束通道为靠近靶室端小,远离靶室端大。 |
所属类别: |
发明专利 |