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原文传递一种高精度中子无损检测装置

专利名称：	一种高精度中子无损检测装置
摘要：	本发明公开了一种高精度中子无损检测装置，包括中子发射源、底座、屏蔽盖、中子成像探测器，底座上侧面为样品放置区，底座中间设有安装中子发射源的腔体，所述的腔体贯穿底座的上侧设置，所述的屏蔽盖设在底座上侧，屏蔽盖可在上下方向进行位置的调节，所述的中子成像探测器设置在屏蔽盖的上侧；所述的屏蔽盖为上小下大的锥形管体结构，还包括屏蔽管，所述的屏蔽管竖直设置在屏蔽盖内，屏蔽管的上端与屏蔽盖的上端开口处连接，屏蔽管为可上下伸缩设置，所述的屏蔽盖的内侧壁上设有反射调节板，反射调节板的下端与屏蔽盖铰接连接，屏蔽盖上设有螺纹孔，所述的螺纹孔上连接有调节螺杆，所述的调节螺杆与反射调节板的上端连接。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	北京中百源国际科技创新研究有限公司
发明人：	钱铁威
专利状态：	有效
申请日期：	2019-04-09T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-14T00:00:00+0800
申请号：	CN201910279849.X
公开号：	CN109884093A
代理机构：	北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：	李宏伟
分类号：	G01N23/05(2006.01);G;G01;G01N;G01N23
申请人地址：	101149 北京市通州区运河核心区IV-07地块绿地大厦1号楼22层21389
主权项：	1.一种高精度中子无损检测装置，其特征在于：包括中子发射源、底座、屏蔽盖、中子成像探测器，底座上侧面为样品放置区，底座中间设有安装中子发射源的腔体，所述的腔体贯穿底座的上侧设置，所述的屏蔽盖设在底座上侧，屏蔽盖可在上下方向进行位置的调节，所述的中子成像探测器设置在屏蔽盖的上侧；所述的屏蔽盖为上小下大的锥形管体结构，还包括屏蔽管，所述的屏蔽管竖直设置在屏蔽盖内，屏蔽管的上端与屏蔽盖的上端开口处连接，屏蔽管为可上下伸缩设置，所述的屏蔽盖的内侧壁上设有反射调节板，反射调节板的下端与屏蔽盖铰接连接，屏蔽盖上设有螺纹孔，所述的螺纹孔上连接有调节螺杆，所述的调节螺杆与反射调节板的上端连接；所述的中子成像探测器包括包括中子检测用闪烁体、和检测从该中子检测用闪烁体发出的光并将其转换为电信号的光检测器，光检测器具有多个光纤和多个光检测元件，多个光纤对应闪烁体的入射表面的多个位置设置，多个光检测元件对应于多个光纤设置，中子测量装置与光检测元件连接，中子测量装置用于记录光检测元件的发光次数，中子检测用闪烁体设置在屏蔽盖的上端开口处。 2.根据权利要求1所述的一种高精度中子无损检测装置，其特征在于：所述的底座上设有导向杆，所述的屏蔽盖上设有与导向杆配合的导向孔，所述的底座上设有驱动屏蔽盖在导向杆上移动的驱动装置一。 3.根据权利要求1所述的一种高精度中子无损检测装置，其特征在于：所述的屏蔽管包括同轴设置的固定管和活动管，所述的固定管与屏蔽盖固定连接，所述的活动管与固定管螺纹连接。 4.根据权利要求1所述的一种高精度中子无损检测装置，其特征在于：所述的光检测元件为光电倍增管。 5.根据权利要求1所述的一种高精度中子无损检测装置，其特征在于：所述的中子发射源包括依次连接设置的带电粒子源、加速器、光束调节器、靶，还包括容器和管状屏蔽构件，靶设置在容器内部，管状屏蔽构件设置在容器的中子发射端。 6.根据权利要求1所述的一种高精度中子无损检测装置，其特征在于：所述的中子测量装置为计数器。 7.根据权利要求3所述的一种高精度中子无损检测装置，其特征在于：所述的屏蔽盖为的横截面为方形，其四个内侧壁上分别设有反射调节板。 8.根据权利要求7所述的一种高精度中子无损检测装置，其特征在于：所述的反射调节板的下端高于屏蔽盖的底部设置，反射调节板的上端低于固定管的下端设置。 9.根据权利要求1所述的一种高精度中子无损检测装置，其特征在于：所述的底座的上侧面上设有样品放置架。 10.根据权利要求1所述的一种高精度中子无损检测装置，其特征在于：还包括计算装置、数据处理设备、存储设备。
所属类别：	发明专利