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原文传递声表面波传感器的制备方法、所制备的传感器及其应用

专利名称：	声表面波传感器的制备方法、所制备的传感器及其应用
摘要：	本发明公开了一种声表面波传感器的制备方法、所制备的传感器及其应用，所述制备方法步骤如下：S1、制备SAW芯片；S2、制备磁控溅射模具：所述磁控溅射模具由上模具和下模具通过螺栓或磁性连接；所述下模设置有可放置SAW芯片的SAW芯片卡槽阵列，上模开有与SAW芯片延迟线区域对应的多个矩形通孔；S3、沉积ZnO薄膜：在所述SAW芯片表面通过磁控溅射沉积尺寸为25～45nm的纳米颗粒状ZnO薄膜；所述磁控溅射沉积ZnO薄膜分多层沉积，通过调节不同沉积层磁控溅射参数差异控制在SAW芯片表面沉积的ZnO薄膜形貌。上述制备方法制备的声表面波用于对空气中湿度的检测，在湿度检测中平均线性灵敏度高达573.4Hz/％RH。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	四川;51
申请人：	西南交通大学
发明人：	永远;李盼召;许章亮;贺正琦;吴浪;陈伯仲
专利状态：	有效
申请日期：	2019-06-19T00:00:00+0800
发布日期：	2019-09-06T00:00:00+0800
申请号：	CN201910530051.8
公开号：	CN110208370A
代理机构：	成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙)
代理人：	吴桐
分类号：	G01N29/02(2006.01);G;G01;G01N;G01N29
申请人地址：	610031 四川省成都市金牛区二环路北一段111号
主权项：	1.一种声表面波传感器的制备方法，其步骤如下： S1、制备SAW芯片：选择压电基底，并通过光刻微加工工艺在压电基底上制备叉指型电极； S2、制备磁控溅射模具：所述磁控溅射模具由上部模具和下模具通过螺栓或磁性连接；所述下模设置有可放置SAW芯片的SAW芯片卡槽阵列，上模开有与SAW芯片延迟线区域对应的多个矩形通孔； S3、沉积ZnO薄膜：在所述SAW芯片表面通过磁控溅射沉积尺寸为25～45nm的纳米颗粒状ZnO薄膜；所述磁控溅射沉积ZnO薄膜分多层沉积，通过调节不同沉积层磁控溅射参数差异控制在SAW芯片表面沉积的ZnO薄膜形貌，具体操作是：以99.99％纯度的ZnO为靶材，体积比为1：1的氩气、氧气混合气体为工作气体进行磁控溅射，磁控溅射沉积ZnO薄膜分两层沉积，第一层沉积后待温度降至50℃-80℃，开始第二层沉积；所述第一层沉积参数为：镀膜真空度为0.4-0.6Pa，溅射功率为40-60W，溅射时间为50-70min；所述第二层沉积参数为：镀膜真空度为0.4-0.6Pa，溅射功率为90-110W，溅射时间为50-70min。 2.根据权利要求1所述的一种声表面波传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤S1选择的压电基底材料为42.75°ST-cut石英。 3.根据权利要求1或2任一所述的一种声表面波传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤S1在压电基底上制备的输入叉指型电极与输出叉指型电极对数对称分布，其结构参数为：宽度为5μm，声孔径为1800μm，输入叉指型电极为50对，输出叉指型电极为50对，厚度150nm。 4.一种声表面波传感器，其特征在于：所述声表面波传感器通过权利要求1-4所述的制备方法制备得到。 5.一种权利要求4所述声表面波传感器应用，其特征在于：所述声表面波传感器用于对空气中湿度的检测。
所属类别：	发明专利