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原文传递一种单层片式晶界层陶瓷电容器的切割方法

专利名称：	一种单层片式晶界层陶瓷电容器的切割方法
摘要：	本发明属于晶界层陶瓷电容器及其制造工艺的技术领域，提供一种单层片式晶界层陶瓷电容器的切割方法，通过设置多步切割、切割速度、主轴转速及每步切割的切割高度，可整齐的切断晶界层陶瓷电容器材料的晶格，而不产生崩瓷现象，可以切割出边缘整齐，表面完好的产品。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	辽宁;21
申请人：	大连达利凯普科技有限公司
发明人：	关秋云;吴继伟;刘溪笔;杨国兴;郝泳鑫;王迪
专利状态：	有效
申请日期：	2019-06-27T00:00:00+0800
发布日期：	2019-09-13T00:00:00+0800
申请号：	CN201910566840.7
公开号：	CN110228140A
代理机构：	大连智高专利事务所(特殊普通合伙)
代理人：	李猛
分类号：	B28D5/02(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	116630 辽宁省大连市经济技术开发区光明西街10号1-4层
主权项：	1.一种单层片式晶界层陶瓷电容器的切割方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一，将带有电极图形的晶界层陶瓷电容器的上表面贴加保护膜或涂保护漆，厚度为0.1um-100um，放入真空烘箱内烘干；步骤二，使用自动贴膜机将晶界层陶瓷电容器贴于切割专用膜上，切割专用膜的粘度为1-10N/10mm，厚度为0.05mm-0.2mm；步骤三，使用自动切割机，放入待切割的晶界层陶瓷电容器，自动切割机的切割参数特殊设置，其中切割步数为多步切割，切割步数为1-10；切割速度为0.1-10mm/s；主轴转速为10000-60000rpm；切割高度如下：第1步切割高度为样品厚度的1/6-1/2；第2步切割高度为样品厚度的1/5-2/3；第3步切割高度为样品厚度的1/4-3/3；直至第n步切割高度为全部样品厚度或者超出样品厚度；步骤四，切割完毕的晶界层陶瓷电容器放入自动清洗机，采用高压水或者二流体清洗，清洗去除晶界层陶瓷电容器表面的保护膜或保护漆及切割的残留粉末等杂质，然后用氮气枪吹干；步骤五，将晶界层陶瓷电容器移至自动解膜机，解除切割膜的粘性，此时切割完毕。 2.如权利要求1所述的一种单层片式晶界层陶瓷电容器的切割方法，其特征在于：所述步骤一中的真空烘箱烘干参数为：烘干时间为10-90分钟，烘干温度为100-200℃。 3.如权利要求1所述的一种单层片式晶界层陶瓷电容器的切割方法，其特征在于：所述步骤二中的切割专用膜为切割专用UV膜或蓝膜。 4.如权利要求1所述的一种单层片式晶界层陶瓷电容器的切割方法，其特征在于：所述步骤三中每步切割的切割高度是根据样品和切割膜的总厚度而设定的，多步切割的切割速度和主轴转速可以相同，也可以不同。 5.如权利要求1所述的一种单层片式晶界层陶瓷电容器的切割方法，其特征在于：所述步骤四中的高压水的压力参数为2-8MPa，清洗时间为30-300s，自动清洗机的转数为100-3000rpm。 6.如权利要求1所述的一种单层片式晶界层陶瓷电容器的切割方法，其特征在于：所述步骤四中的二流体为纯水和压缩空气的混合体，其中压缩空气的压力参数为0.2-0.6MPa，纯水的压力参数为0.1-0.5MPa，纯水的流量为100-800mL/min，清洗时间为30-300s,自动清洗机的转数100-1000rpm。
所属类别：	发明专利