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原文传递用于集成电路的缺陷预测的方法和系统

专利名称：	用于集成电路的缺陷预测的方法和系统
摘要：	提供了用于缺陷预测的方法和系统。该方法包括：接收集成电路(IC)的特征数据和与该集成电路相关联的生产过程的工艺制程条件数据；和使用所述特征数据、所述工艺制程条件数据、和缺陷预测技术来确定与该集成电路相关联的关注区域，其中该关注区域包括潜在缺陷并且被高分辨率检查系统检查。基于所提供的方法和系统，当正在制造被检查的集成电路时，可以生成包括实际工艺制程条件的关注区域，并且可以实现快速且高分辨率的集成电路缺陷检查系统。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	东方晶源微电子科技(北京)有限公司
发明人：	俞宗强;林杰;张兆礼
专利状态：	有效
申请日期：	2017-10-30T00:00:00+0800
发布日期：	2019-09-27T00:00:00+0800
申请号：	CN201780085129.9
公开号：	CN110291384A
代理机构：	中科专利商标代理有限责任公司
代理人：	王益
分类号：	G01N21/88(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	100176 北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路156号院12号楼
主权项：	1.一种用于缺陷预测的方法，包括：接收集成电路(IC)的特征数据和与所述集成电路相关联的生产过程的工艺制程条件数据；和使用所述特征数据、所述工艺制程条件数据、和缺陷预测技术来确定与所述集成电路相关联的关注区域，其中所述关注区域包括潜在缺陷并且被高分辨率检查系统检查。 2.根据权利要求1所述的方法，还包括：接收包括所述集成电路的布线的设计数据；和使用所述设计数据执行光刻仿真以确定所述特征数据。 3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述特征数据包括从所述设计数据确定的多边形、从所述多边形确定的渲染图像、以及从所述渲染图像确定的经处理图像中的任一个。 4.根据权利要求1所述的方法，其中所述工艺制程条件数据包括所述生产过程的聚焦条件和所述生产过程的剂量条件中的任一个；和所述缺陷预测技术包括与所述聚焦条件相关联的参数、与所述剂量条件相关联的参数、与蚀刻相关联的参数、以及与化学机械平坦化(CMP)相关联的参数中的任一个。 5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述高分辨率检查系统包括电子束检查系统。 6.根据权利要求1所述的方法，还包括：由所述高分辨率检查系统通过检查关注区域来确定检查结果；和基于所述检查结果来更新所述缺陷预测技术的参数。 7.根据权利要求1所述的方法，还包括：接收测试特征数据和测试工艺制程条件数据，所述测试特征数据和所述测试工艺制程条件数据两者与有缺陷的集成电路区域和无缺陷的集成电路区域相关联，其中所述有缺陷的集成电路区域包括由所述高分辨率检查系统确定的缺陷，所述无缺陷的集成电路区域不包括缺陷；和基于所述测试特征数据和所述测试工艺制程条件数据来确定所述缺陷预测技术的参数。 8.一种用于缺陷预测的系统，包括：处理器；和联接到所述处理器的存储器，所述存储器被配置成储存指令集，所述指令集当被所述处理器执行时变为能够通过处理器操作以：接收集成电路(IC)的特征数据和与所述集成电路相关联的生产过程的工艺制程条件数据；和使用所述特征数据、所述工艺制程条件数据、和缺陷预测技术来确定与所述集成电路相关联的关注区域，其中所述关注区域包括潜在缺陷并被高分辨率检查系统检查。 9.根据权利要求8的系统，其中，所述存储器被配置为储存其他指令，所述其他指令当被所述处理器执行时变得能够通过所述处理器操作以：接收包括所述集成电路的布线的设计数据；和使用所述设计数据执行光刻仿真以确定所述特征数据。 10.根据权利要求9的系统，其中，所述特征数据包括从所述设计数据确定的多边形、从所述多边形确定的渲染图像、以及从所述渲染图像确定的经处理图像中的任一个。 11.根据权利要求8所述的系统，其中，所述工艺制程条件数据包括所述生产过程的聚焦条件和所述生产过程的剂量条件中的任一个；和所述缺陷预测技术包括与所述聚焦条件相关联的参数、与所述剂量条件相关联的参数、与蚀刻相关联的参数、以及与化学机械平坦化(CMP)相关联的参数中的任一个。 12.根据权利要求8的系统，其中，所述存储器被配置为储存其他指令，所述其他指令当被所述处理器执行时变得能够通过所述处理器操作以：由所述高分辨率检查系统通过检查关注区域来确定检查结果；和基于所述检查结果来更新所述缺陷预测技术的参数。 13.根据权利要求8的系统，其中，所述存储器被配置为存储其他指令，所述其他指令当被所述处理器执行时变得能够通过所述处理器操作以：接收测试特征数据和测试工艺制程条件数据，所述测试特征数据和所述测试工艺制程条件数据两者与有缺陷的集成电路区域和无缺陷的集成电路区域相关联，其中所述有缺陷的集成电路区域包括由所述高分辨率检查系统确定的缺陷，所述无缺陷的集成电路区域不包括缺陷；和基于所述测试特征数据和所述测试工艺制程条件数据来确定所述缺陷预测技术的参数。 14.一种非暂时性计算机可读介质，所述非暂时性计算机可读介质储存指令集，所述指令集当被使用处理器的计算机系统执行时变得能够通过所述处理器操作以用于缺陷预测，所述非暂时性计算机可读介质包括能够执行以下操作的指令：在与集成电路(IC)相关联的生产过程期间，接收所述集成电路的特征数据和所述生产过程的工艺制程条件数据；和在所述生产过程期间，使用所述特征数据、所述工艺制程条件数据、和缺陷预测技术来确定与所述集成电路相关联的关注区域，其中关注区域包括潜在缺陷并被高分辨率检查系统所检查。 15.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读介质，包括执行以下操作的其他指令：接收包括所述集成电路的布线的设计数据；和使用所述设计数据执行光刻仿真以确定所述特征数据。 16.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读介质，其中，所述特征数据包括从所述设计数据确定的多边形、从所述多边形确定的渲染图像、以及从所述渲染图像确定的经处理图像中的任一个。 17.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述工艺制程条件数据包括所述生产过程的聚焦条件和所述生产过程的剂量条件中的任一个；和所述缺陷预测技术包括与所述聚焦条件相关联的参数、与所述剂量条件相关联的参数、与蚀刻相关联的参数、以及与化学机械平坦化(CMP)相关联的参数中的任一个。 18.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读介质，其中，所述高分辨率检查系统包括电子束检查系统。 19.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读介质，包括执行以下操作的其他指令：由所述高分辨率检查系统通过检查关注区域来确定检查结果；和基于所述检查结果来更新所述缺陷预测技术的参数。 20.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读介质，包括执行以下操作的其他指令：接收测试特征数据和测试工艺制程条件数据，所述测试特征数据和所述测试工艺制程条件数据两者与有缺陷的集成电路区域和无缺陷的集成电路区域相关联，其中所述有缺陷的集成电路区域包括由所述高分辨率检查系统确定的缺陷，所述无缺陷的集成电路区域不包括缺陷；和基于所述测试特征数据和所述测试工艺制程条件数据来确定所述缺陷预测技术的参数。
所属类别：	发明专利