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原文传递二维材料异质结传感器

专利名称：	二维材料异质结传感器
摘要：	二维材料异质结传感器，属于MEMS技术领域，器件结构由上到下依次为选择层、二硒化钨层、二硫化钼层和基底；二硒化钨层与二硫化钼层交叠形成异质结；异质结表面修饰有与被测肿瘤标记物相对应的抗体，采用牛血清蛋白填补异质结表面没有被抗体覆盖的位点，抗体和牛血清蛋白共同构成选择层，金属电极分别与二硫化钼层和二硒化钨层相连接，采用二硫化钼与二硒化钨形成的异质结作为传感器的核心敏感部分，利用其对蛋白分子敏感的特性检测标记物的浓度，本实用新型的传感器对于癌症的早期诊断具有重要意义。
专利类型：	实用新型
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	清华大学
发明人：	李鹏
专利状态：	有效
申请日期：	2018-12-06T00:00:00+0800
发布日期：	2019-09-27T00:00:00+0800
申请号：	CN201822044070.3
公开号：	CN209446518U
代理机构：	西安智大知识产权代理事务所
代理人：	段俊涛
分类号：	G01N27/327(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
主权项：	1.二维材料异质结传感器，其特征在于，器件结构由上到下依次为选择层(1-1)、二硒化钨层(1-2)、二硫化钼层(1-3)、基底(1-4)；二硒化钨层(1-2)与二硫化钼层(1-3)交叠形成异质结(1-6)；异质结(1-6)表面修饰有与被测肿瘤标记物相对应的抗体，采用牛血清蛋白填补异质结表面没有被抗体覆盖的位点，抗体和牛血清蛋白共同构成选择层(1-1)，金属电极(1-5)分别与二硫化钼层(1-3)和二硒化钨层(1-2)相连接。 2.根据权利要求1所述的二维材料异质结传感器，其特征在于，所述二硒化钨层(1-2)为二维材料，即厚度方向仅有单层原子或少数几层原子，一般为1-10层。 3.根据权利要求1所述的二维材料异质结传感器，其特征在于，所述二硫化钼层(1-3)为二维材料，即厚度方向仅有单层原子或少数几层原子，一般为1-10层。 4.根据权利要求1所述的二维材料异质结传感器，其特征在于，所述金属电极(1-5)通过溅射、蒸镀或其它方法形成于基底上表面，金属电极(1-5)材料选用Au、Ag、Cu、Al、Pt中的任意一种，厚度为20-200纳米。
所属类别：	实用新型