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原文传递一种三维微纳结构导电电极元件的制备方法

专利名称：	一种三维微纳结构导电电极元件的制备方法
摘要：	本发明公开了一种三维微纳结构电极元件的制备方法，属于光刻蚀技术领域及电化学传感领域。该制备方法主要包括以下内容：将复合导电光刻胶涂布于基材表面，利用光刻蚀技术制备具有三维微纳结构电极元件，所述复合导电光刻胶的主要成分包括光刻胶混合体系、石墨烯GR、银纳米线AgNW。不仅保留了光刻胶的图案化功能，还具有更为优良的导电导热性，能够实现导电微纳结构的可控制备，且制备方法简单，成本低廉。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	江南大学
发明人：	李小杰;吴倩;魏玮;刘仁;刘晓亚
专利状态：	有效
申请日期：	2019-06-20T00:00:00+0800
发布日期：	2019-10-15T00:00:00+0800
申请号：	CN201910538151.5
公开号：	CN110333274A
代理机构：	南京经纬专利商标代理有限公司
代理人：	张惠忠
分类号：	G01N27/30(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	214122 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号
主权项：	1.一种三维微纳结构导电电极元件的制备方法，其特征在于，将复合导电光刻胶涂布于基材表面，利用光刻蚀技术制备具有三维微纳结构导电电极元件，所述复合导电光刻胶的主要成分包括光刻胶混合体系、石墨烯GR、银纳米线AgNW。 2.根据权利要求1所述的一种三维微纳结构导电电极元件的制备方法，其特征在于，所述复合导电光刻胶的制备方法为将银纳米线AgNW以有机溶剂分散液的形式与光刻胶的混合体系、石墨烯GR进行混合，所述有机溶剂包括异丙醇。 3.根据权利要求1所述的一种三维微纳结构导电电极元件的制备方法，其特征在于，所述三维微纳结构导电电极的制备步骤为：复合导电光刻胶涂布于基材表面后，经前烘、曝光、后烘、显影等步骤得到具有三维微纳结构的导电电极。 4.根据权利要求1或3所述的一种三维微纳结构导电电极元件的制备方法，其特征在于，所述三维微纳结构导电电极的制备步骤为：将分散均匀的复合光刻胶涂布于基材表面，放置于50～70℃环境中保持3～30min，后升温至80～120℃保持3～30min；冷却后在200～400nm下曝光；随后缓慢升温至50～70℃、80～120℃分别保持3～30min；采用显影液行循环显影，得到理想图案后100～150℃中保温1～3h。 5.根据权利要求1所述的一种三维微纳结构导电电极元件的制备方法，其特征在于，所述光刻胶混合体系包括SPR光刻胶、SU-8光刻胶、SU-8 2000系列光刻胶。 6.根据权利要求1或2所述的一种三维微纳结构导电电极元件的制备方法，其特征在于，所述GR含量为总体系的2wt％-10wt％；AgNW含量为总体系的0.25wt％-5wt％；所述AgNW截面直径为10～300nm。 7.根据权利要求1或3所述的一种三维微纳结构导电电极元件的制备方法，其特征在于，所述复合光刻胶涂布于基材表面的厚度为0.1μm-100μm；所述基材包括导电玻璃ITO类导电薄膜、金片电极、硅片、载玻片、铁片、银片电极中任意一种。 8.一种传感器的制备方法，其特征在于，按照权利要求1～3、5中任一方法所制备的一种三维微纳结构导电电极元件，在此导电电极元件表面制备传感涂层完成传感器的构建。 9.根据权利要求8所述的一种传感器的制备方法，其特征在于，所述方法为：将所述三维导电电极元件浸入电沉积液中，连接甘汞电极、铂丝电极形成三电极体系，并在电化学工作站中施加电压进行的沉积程序，将无机过渡金属离子原位还原至电极表面。 10.一种传感器，其特征在于，由权利要求8或9所述的方法制备所得。
所属类别：	发明专利