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原文传递一种边缘损伤纵深的计算方法及装置

专利名称：	一种边缘损伤纵深的计算方法及装置
摘要：	本发明实施例提供了一种边缘损伤纵深的计算方法及装置，边缘损伤纵深的计算方法包括：对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理，使得待检测表面能够显现损伤界面，n为大于或等于1的整数；其中待检测样品是在待检测硅片上靠近边缘处沿着预设方向切割得到；每次抛光处理后对待检测表面进行蚀刻处理；根据每次待检测表面的蚀刻处理结果，确定待检测硅片的损伤纵深，损伤纵深为损伤界面到靠近损伤界面一侧处的边缘的垂直距离。其中损伤纵深可以用于表示待检测硅片边缘处的损伤深度，可以解决现有的损伤测定方法无法测定硅片边缘处的损伤深度的问题，进而可以获得高品质的硅片，以满足半导体的日益高度集成化的要求。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	陕西;61
申请人：	西安奕斯伟硅片技术有限公司
发明人：	张婉婉;文英熙
专利状态：	有效
申请日期：	2019-08-01T00:00:00+0800
发布日期：	2019-10-15T00:00:00+0800
申请号：	CN201910707109.1
公开号：	CN110333251A
代理机构：	北京银龙知识产权代理有限公司
代理人：	许静;刘伟
分类号：	G01N21/95(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
主权项：	1.一种边缘损伤纵深的计算方法，其特征在于，包括：对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理，使得所述待检测表面能够显现损伤界面，n为大于或等于1的整数；其中所述待检测样品是在待检测硅片上靠近边缘处沿着预设方向切割得到；每次抛光处理后对所述待检测表面进行蚀刻处理；根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定所述待检测硅片的损伤纵深，所述损伤纵深为所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧处的边缘的垂直距离。 2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理的步骤之前，所述方法还包括：对待检测硅片进行热处理；沿着预设方向在所述待检测硅片上靠近边缘处切割得到待检测样品。 3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对待检测硅片进行热处理，包括：对所述待检测硅片进行退火处理。 4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理，包括：提供一夹具；所述夹具夹持所述待检测样品，使得所述待检测表面与水平面平行；对所述待检测表面进行n次化学软抛处理。 5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述每次抛光处理后对所述待检测表面进行蚀刻处理，包括：每次抛光处理后对待检测表面进行赖特蚀刻处理。 6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定所述待检测硅片的损伤纵深，包括：每次对待检测表面抛光预设深度后，根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定每次抛光后的损伤测量长度Li，所述损伤测量长度Li用于表示在所述待检测表面上所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧的边缘的距离，其中i表示抛光次序，n≥i≥1且i为整数。确定每次抛光后的所述损伤层界面与所述待检测表面之间的夹角αi；根据损伤测量长度Li以及损伤层界面与待检测表面之间的夹角αi，确定每次抛光后的损伤纵深Di；根据每次抛光后的损伤纵深Di，确定待检测硅片的损伤纵深D。 7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据损伤测量长度Li以及损伤层界面与待检测表面之间的夹角αi，确定每次抛光的损伤纵深Di，包括：根据以下公式确定每次抛光的损伤纵深Di Di＝Li*sinαi 其中，Di表示第i次抛光后的损伤纵深，Li表示第i次抛光后的损伤测量长度；αi第i次抛光后的损伤层界面与待检测表面之间的夹角。 8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述根据每次抛光后的损伤纵深Di，确定待检测硅片的损伤纵深D，包括：根据以下公式确定待检测硅片的损伤纵深D 其中，Di表示第i次抛光后的损伤纵深，n表示最大抛光次数。 9.一种边缘损伤纵深的计算装置，其特征在于，包括：抛光模块，用于对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理，使得所述待检测表面能够显现损伤界面，n为大于或等于1的整数；其中所述待检测样品是在待检测硅片上靠近边缘处沿着预设方向切割得到；蚀刻模块，用于每次抛光处理后对所述待检测表面进行蚀刻处理；确定模块，用于根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定所述待检测硅片的损伤纵深，所述损伤纵深为所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧处的边缘的垂直距离。 10.根据权利要求9所述的计算装置，其特征在于，所述确定模块包括：第一确定单元，用于每次对待检测表面抛光预设深度后，根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定每次抛光后的损伤测量长度Li，所述损伤测量长度Li用于表示在所述待检测表面上所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧的边缘的距离，其中i表示抛光次序，i为大于或等于1的整数；第二确定单元，用于确定每次抛光后的所述损伤层界面与所述待检测表面之间的夹角αi；第三确定单元，用于根据损伤测量长度Li以及损伤层界面与待检测表面之间的夹角αi，确定每次抛光后的损伤纵深Di；第四确定单元，用于根据每次抛光后的损伤纵深Di，确定待检测硅片的损伤纵深D。
所属类别：	发明专利