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原文传递基于石墨烯的集成化气敏传感单元及其制备方法

专利名称：	基于石墨烯的集成化气敏传感单元及其制备方法
摘要：	本发明公开了一种基于石墨烯的集成化气敏传感单元及其制备方法，包括：制作Si+SiO2衬底；在所述Si+SiO2衬底上溅射Ti/Pt电极；转移石墨烯至所述Si+SiO2衬底上；在所述石墨烯上制作NH3敏感部、H2敏感部和NO2敏感部；以及用丙酮浸泡，并去除光刻胶。借此，本发明的基于石墨烯的集成化气敏传感单元的制备方法，集成了三种气敏传感单元，且成本低，工艺简单。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	北京智芯微电子科技有限公司
发明人：	王峥;吴超;庞振江;李良;王海宝;耿亮;杨文;奥琛
专利状态：	有效
申请日期：	2019-08-28T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201910799649.7
公开号：	CN110398522A
代理机构：	北京中誉威圣知识产权代理有限公司
代理人：	席勇;王小蓓
分类号：	G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
主权项：	1.一种基于石墨烯的集成化气敏传感单元的制备方法，其特征在于，包括：制作Si+SiO2衬底；在所述Si+SiO2衬底上溅射Ti/Pt电极；转移石墨烯至所述Si+SiO2衬底上；在所述石墨烯上制作NH3敏感部、H2敏感部和NO2敏感部；以及用丙酮浸泡，并去除光刻胶。 2.如权利要求1所述的基于石墨烯的集成化气敏传感单元的制备方法，其特征在于，所述Si+SiO2衬底由400微米厚度的p型掺杂硅片和300纳米厚度的介质层组成。 3.如权利要求2所述的基于石墨烯的集成化气敏传感单元的制备方法，其特征在于，所述介质层是利用等离子体增强化学气相沉积工艺所沉积形成的二氧化硅构成。 4.如权利要求2所述的基于石墨烯的集成化气敏传感单元的制备方法，其特征在于，在所述Si+SiO2衬底上溅射所述Ti/Pt电极包括：在所述介质层表面先溅射厚度为10纳米的Ti金属电极，然后以10纳米的所述Ti金属电极为粘附层继续沉积厚度为50纳米的Pt金属电极。 5.如权利要求1所述的基于石墨烯的集成化气敏传感单元的制备方法，其特征在于，所述NH3敏感部为敏感NH3的氧化石墨烯薄膜，所述H2敏感部为敏感H2的掺杂有钯金属颗粒的石墨烯层，且所述NO2敏感部为敏感NO2的掺杂有ZnO颗粒的氧化石墨烯薄膜。 6.一种基于石墨烯的集成化气敏传感单元，其特征在于，包括： Si+SiO2衬底； Ti/Pt电极，溅射于所述Si+SiO2衬底上；石墨烯，设置于所述Si+SiO2衬底上； NH3敏感部，设置于所述石墨烯上； H2敏感部，设置于所述石墨烯上；以及 NO2敏感部，设置于所述石墨烯上。 7.如权利要求6所述的基于石墨烯的集成化气敏传感单元，其特征在于，所述Si+SiO2衬底由400微米厚度的p型掺杂硅片和300纳米厚度的介质层组成。 8.如权利要求7所述的基于石墨烯的集成化气敏传感单元，其特征在于，所述介质层是利用等离子体增强化学气相沉积工艺所沉积形成的二氧化硅构成。 9.如权利要求7所述的基于石墨烯的集成化气敏传感单元，其特征在于，所述Ti/Pt电极的Ti金属电极的厚度为10纳米，且所述Ti/Pt电极的Pt金属电极的厚度为50纳米。 10.如权利要求6所述的基于石墨烯的集成化气敏传感单元，其特征在于，所述NH3敏感部为敏感NH3的氧化石墨烯薄膜，所述H2敏感部为敏感H2的掺杂有钯金属颗粒的石墨烯层，且所述NO2敏感部为敏感NO2的掺杂有ZnO颗粒的氧化石墨烯薄膜。
所属类别：	发明专利