专利名称: |
检测多孔金属腐蚀行为的试样及其制备方法与检测方法 |
摘要: |
本发明公开了一种检测多孔金属腐蚀行为的试样及其制备方法,包括用致密金属材料制成的导电体,导电体上电性连接有导线;导电体一端焊接有用多孔金属材料制成的反应体;导电体被封装在用耐腐蚀性绝缘材料制成的封装体内,封装体在导电体与反应体的交界处截止,导线外伸出封装体以能够传递信号。本发明还公开了一种多孔金属腐蚀行为的检测方法,包括对试样进行浸泡,对不同浸泡时间点的试样进行检测,分别得到反应体表面无孔区域与反应体孔结构内部的随时间变化的伏打电位分布情况,根据伏打电位分布情况对比分析多孔金属孔内腐蚀行为与孔外腐蚀行为的腐蚀特性差异。本发明解决了局限于对多孔金属整体腐蚀行为进行检测的技术问题。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
四川;51 |
申请人: |
四川轻化工大学 |
发明人: |
陈雪丹;龚敏;附青山;张敬雨;曾宪光;左寒阳 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-09-06T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-11-19T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910844260.X |
公开号: |
CN110470519A |
代理机构: |
重庆博凯知识产权代理有限公司 |
代理人: |
周玉玲 |
分类号: |
G01N1/28(2006.01);G;G01;G01N;G01N1 |
申请人地址: |
643000 四川省自贡市自流井区汇兴路519号 |
主权项: |
1.一种检测多孔金属腐蚀行为的试样,其特征在于:包括用致密金属材料制成的导电体,导电体上电性连接有导线;导电体一端焊接有用多孔金属材料制成的反应体;导电体被封装在用耐腐蚀性绝缘材料制成的封装体内,封装体在导电体与反应体的交界处截止,导线外伸出封装体以能够传递信号。 2.根据权利要求1所述的检测多孔金属腐蚀行为的试样,其特征在于:采用环氧树脂或甲基丙烯酸甲酯对导电体进行封装。 3.根据权利要求1所述的检测多孔金属腐蚀行为的试样,其特征在于:导电体与反应体均为柱形。 4.根据权利要求1所述的检测多孔金属腐蚀行为的试样,其特征在于:导电体卡入由导电材料制成的卡环内,卡环具有支耳,支耳上开有螺纹孔,导线缠绕在螺栓上端上,螺栓下端旋入螺纹孔中;导电体、卡环及螺栓均封装于封装体内。 5.一种如权利要求1所述的检测多孔金属腐蚀行为的试样的制备方法,其特征在于:将所述反应体焊接在所述导电体的一端上;在导电体上连接导线;采用耐腐蚀性绝缘材料对导电体进行封装,在封装前采用隔离装置对反应体进行保护,以防止耐腐蚀性绝缘材料渗入反应体内的孔结构中。 6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于:所述隔离装置为弹性保护套,所述弹性保护套套接在反应体上,并且弹性保护套一端平齐于导电体与反应体的交界线;将导电体浸入耐腐蚀性绝缘材料中进行封装。 7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于:封装完成后将反应体打磨至表面光亮,然后依次用有机溶剂与蒸馏水清洗。 8.一种多孔金属腐蚀行为的检测方法,其特征在于:采用如权利要求1至4中任一所述的检测多孔金属腐蚀行为的试样,并包括以下步骤: 步骤1:将试样悬挂放入盛有腐蚀溶液的容器中,试样不与容器内壁接触,并使反应体浸泡在腐蚀溶液中; 步骤2:在不同浸泡时间点,取出试样并用去离子水冲洗干净,然后用常温风吹干; 步骤3:将吹干后的试样固定在电化学扫描系统的工作台上,利用扫描开尔文探针SKP检测反应体表面无孔区域与反应体孔结构内部的伏打电位; 步骤4:经过对不同浸泡时间点的试样进行检测,分别得到反应体表面无孔区域与反应体孔结构内部的随时间变化的伏打电位分布情况; 步骤5:对比分析反应体表面无孔区域与反应体孔结构内部的随时间变化的伏打电位分布情况,得出多孔金属孔内腐蚀行为与孔外腐蚀行为的腐蚀特性差异。 9.根据权利要求8所述的多孔金属腐蚀行为的检测方法,其特征在于:对试样进行定点测量:在反应体上选取固定的n个孔结构,同时选取固定的n个无孔区域;对于不同浸泡时间点的试样检测,每次均检测固定的n个孔结构与n个无孔区域,并每次统计n个孔结构的伏打电位平均值作为每个浸泡时间点对应的孔结构伏打电位,每次统计n个无孔区域的伏打电位平均值作为每个浸泡时间点对应的无孔区域伏打电位。 10.根据权利要求8所述的多孔金属腐蚀行为的检测方法,其特征在于:单个孔结构的伏打电位按如下步骤检测: 首先,利用电化学扫描系统自带的显微系统观察探针位置,将针尖移向反应体表面无孔区域,调整针尖与反应体表面无孔区域的距离,使针尖与反应体表面无孔区域平齐; 然后沿Z轴向上移动m微米,再分别沿X、Y轴方向移动,将针尖移动到孔结构上方,再将针尖沿Z轴向下移动m微米,到达孔结构上方与无孔区域表面平齐的位置; 最后,以k微米作为步长,逐步向孔结构内部深入,每向下移动一个步长,将探针固定,进行一次测量,统计平均值作为单个孔结构的伏打电位。 |
所属类别: |
发明专利 |