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原文传递一种陶瓷电子元件金相切片及其制备方法

专利名称：	一种陶瓷电子元件金相切片及其制备方法
摘要：	本发明公开了一种陶瓷电子元件金相切片的制备方法，包括如下步骤：(1)将待检样品、单层瓷介电容器和两个填充块并列粘贴在基板上，所述两个填充块分别靠贴在单层瓷介电容器两侧；(2)将模具粘贴在基板上，模具包围待检样品、单层瓷介电容器和填充块，然后往模具里面注入胶体，待胶体固化后得到胶块；(3)将填充块从胶块中去除，从而单层瓷介电容器的两侧各形成一个空腔；(4)将胶块研磨、抛光。本发明的陶瓷电子元件金相切片的制备方法，使检验者能够在研磨过程中获知当前剖面的研磨深度以及当前剖面在陶瓷电子元件内的具体位置，可以提高陶瓷电子元件金相切片检验分析的质量和效率。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	广东;44
申请人：	广东风华高新科技股份有限公司
发明人：	陆亨;陈伟健;安可荣;刘双凤
专利状态：	有效
申请日期：	2019-08-28T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-15T00:00:00+0800
申请号：	CN201910805447.9
公开号：	CN110455572A
代理机构：	广州三环专利商标代理有限公司
代理人：	颜希文;宋静娜
分类号：	G01N1/06(2006.01);G;G01;G01N;G01N1
申请人地址：	526000广东省肇庆市风华路18号风华电子工业城
主权项：	1.一种陶瓷电子元件金相切片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： (1)将待检样品、单层瓷介电容器和两个填充块并列粘贴在基板上，所述两个填充块分别靠贴在单层瓷介电容器两侧； (2)将模具粘贴在基板上，模具包围待检样品、单层瓷介电容器和填充块，然后往模具里面注入胶体，待胶体固化后得到胶块； (3)将填充块从胶块中去除，从而单层瓷介电容器的两侧各形成一个空腔； (4)将胶块研磨、抛光，即完成陶瓷电子元件金相切片的制备。 2.如权利要求1所述的陶瓷电子元件金相切片的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，在将单层瓷介电容器粘贴在基板上时，使单层瓷介电容器的两个电极层垂直于研磨面。 3.如权利要求1所述的陶瓷电子元件金相切片的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述单层瓷介电容器为矩形，所述填充块为矩形。 4.如权利要求1所述的陶瓷电子元件金相切片的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述单层瓷介电容器垂直于研磨面的边的长度，比所需的最大研磨深度大0.4mm以上；所述单层瓷介电容器与研磨面平齐的边的长度为2～3mm；所述单层瓷介电容器的厚度为1～2mm。 5.如权利要求4所述的陶瓷电子元件金相切片的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述单层瓷介电容器垂直于研磨面的边的长度，比所需的最大研磨深度大0.4～1mm。 6.如权利要求1所述的陶瓷电子元件金相切片的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述填充块粘贴在基板上的一面的四边长度为1～2mm；所述填充块的高度比所需的最大研磨深度大0.2mm以上，所述填充块的高度比单层瓷介电容器垂直于研磨面的边的长度小0.2mm以上。 7.如权利要求1所述的陶瓷电子元件金相切片的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述填充块周围还设有辅助块；所述辅助块通过与单层瓷介电容器围成空腔，辅助填充块成型。 8.如权利要求1所述的陶瓷电子元件金相切片的制备方法，其特征在于，在所述步骤(4)之前，还包括如下步骤：在空腔中外露的单层瓷介电容器的电极层上涂覆导电银浆或者导电银胶，并将其在80～120℃的温度范围内干燥。 9.如权利要求1所述的陶瓷电子元件金相切片的制备方法，其特征在于，所述填充块为蜡、可可脂、代可可脂、食糖中的至少一种；将填充块从胶块中去除的方法为：将胶块放入80～100℃热水中浸泡至填充块被去除。 10.一种由权利要求1～9任一项所述制备方法制备得到的陶瓷电子元件金相切片。
所属类别：	发明专利