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利用X射线散射测量术对深层结构进行工艺监测
| 专利名称： | 利用X射线散射测量术对深层结构进行工艺监测 |
| 摘要： | 在本文中呈现用于基于高纵横比半导体结构的x射线散射测量术测量而估计工艺参数、结构参数或两者的值的方法及系统。以制作工艺流程的一或多个步骤来执行X射线散射测量术测量。迅速地且以充分准确度执行所述测量以达成进行中半导体制作工艺流程的合格率改进。基于所关注参数的所测量值而确定工艺校正且将所述校正传递到工艺工具以改变所述工艺工具的一或多个工艺控制参数。在一些实例中，在处理晶片的同时执行测量以控制进行中制作工艺步骤。在一些实例中，在特定工艺步骤之后执行X射线散射测量术测量且更新工艺控制参数以用于处理未来装置。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 美国;US |
| 申请人： | 科磊股份有限公司 |
| 发明人： | A·吉里纽;T·G·奇乌拉 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2018-05-29T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-12-20T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201880030145.2 |
| 公开号： | CN110603435A |
| 代理机构： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 |
| 代理人： | 刘丽楠 |
| 分类号： | G01N23/20(2018.01);G;G01;G01N;G01N23 |
| 申请人地址： | 美国加利福尼亚州 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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