原文传递
一种比色传感器及其制作方法及其测试系统
| 专利名称： | 一种比色传感器及其制作方法及其测试系统 |
| 摘要： | 本发明公开了一种比色传感器结构及其制备方法及其测试系统。该传感器包括：衬底；形成在衬底上的薄膜结构，薄膜结构为十字形柱纳米结构；以及十字形柱纳米结构形成十字形柱纳米结构阵列，用于承载待测样品，由十字形柱纳米结构阵列中的米氏共振引起的结构色探测待测样品的折射率变化。本发明传感器采用周期纳米结构，体积小，易于携带，样品折射率变化导致传感器结构色发生变化，容易观察。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 发明人： | 李龙杰;史丽娜;牛洁斌;陈生琼;谢常青;刘明 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-08-15T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-12-31T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910755521.0 |
| 公开号： | CN110632063A |
| 代理机构： | 北京知迪知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 王胜利 |
| 分类号： | G01N21/78(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |
| 主权项： | 1.一种比色传感器，其特征在于，包括： 衬底； 形成在所述衬底上的薄膜结构，所述薄膜结构为十字形柱纳米结构；以及 所述十字形柱纳米结构形成十字形柱纳米结构阵列，用于承载待测样品。 2.根据权利要求1所述的比色传感器，其特征在于，所述十字形柱纳米结构阵列呈周期排列，相邻所述十字形柱纳米结构在x和y方向的排列周期均介于200纳米至1000纳米之间。 3.根据权利要求1所述的比色传感器，其特征在于，所述十字形柱纳米结构的高度H介于200纳米至600纳米之间，长边L介于50纳米至300纳米之间，短边W为长边L的一半。 4.根据权利要求1至3中任一项所述的比色传感器，其特征在于，所述薄膜结构的材料为二氧化钛。 5.一种比色传感器的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成薄膜结构，所述薄膜结构为十字形柱纳米结构；以及 所述十字形柱纳米结构形成十字形柱纳米结构阵列，用于承载待测样品。 6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述十字形柱纳米结构阵列通过半导体工艺制造过程生成。 7.根据权利要求5-6任一所述的制备比色传感器的方法，其特征在于，形成的相邻所述十字形柱纳米结构阵列在x和y方向的周期均介于200纳米至1000纳米之间。 8.根据权利要求5-6任一所述的制备比色传感器的方法，其特征在于，形成的所述十字形柱纳米结构的高度H介于200纳米至600纳米之间，长边L介于50纳米至300纳米之间，短边W为L的一半。 9.根据权利要求5-6任一所述的制备比色传感器的方法，其特征在于，所述薄膜结构的材料为二氧化钛。 10.一种比色传感器测试系统，包括如权利要求1-4中任一项所述比色传感器，还包括：所述比色传感器的十字形柱纳米结构阵列上的待测体，位于待测体之上的光源，分束器、摄像机以及光谱仪。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
