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一种用于检测黄曲霉毒素B1的适体传感器及其制备方法
| 专利名称： | 一种用于检测黄曲霉毒素B1的适体传感器及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明的一种用于检测黄曲霉毒素B1的适体传感器及其制备方法属于电化学生物传感器的技术领域，所述的传感器是以硼掺杂金刚石薄膜为基底，由适配体/金纳米颗粒/硼掺杂金刚石复合，且由6‑巯基己‑1‑醇占据金纳米颗粒上空白活性位点构成的复合材料；制备方法包括在P型硅上生长硼掺杂多晶金刚石薄膜、溅射金膜、退火、修饰等步骤。本发明制备的传感器具有很高灵敏度、特异性和实用性，且工艺简单，成本低。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 吉林;22 |
| 申请人： | 吉林大学 |
| 发明人： | 李红东;冯志源;王启亮;刘钧松;高楠;成绍恒;李志慧 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-11-04T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-12-31T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201911063770.X |
| 公开号： | CN110632156A |
| 代理机构： | 长春吉大专利代理有限责任公司 |
| 代理人： | 王恩远 |
| 分类号： | G01N27/416(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 130012 吉林省长春市前进大街2699号 |
| 主权项： | 1.一种用于检测黄曲霉毒素B1的适体传感器，是以硼掺杂金刚石薄膜为基底，由适配体/金纳米颗粒/硼掺杂金刚石复合，且由6-巯基己-1-醇占据金纳米颗粒上空白活性位点构成的复合材料；所述的适配体的结构为5′-SH-(CH2)6-GTT GGG CAC GTG TTG TCT CTCTGT GTC TCG TGC CCT TCG CTA GGC CCA CA-3′。 2.根据权利要求1所述的一种用于检测黄曲霉毒素B1的适体传感器，其特征在于，所述的金纳米颗粒的平均尺寸为13nm，密度为3.2×1011cm-2。 3.一种如权利要求1所述的用于检测黄曲霉毒素B1的适体传感器的制备方法，首先，在P型硅上通过微波等离子体化学气相沉积法生长硼掺杂多晶金刚石薄膜；然后在硼掺杂多晶金刚石薄膜表面利用离子溅射方法溅射金膜，溅射时间是10秒；将所得的金膜和硼掺杂多晶金刚石薄膜在空气中800℃退火30秒～1分钟，得到金纳米颗粒和硼掺杂金刚石复合膜结构；然后，将所述的金纳米颗粒和硼掺杂金刚石复合膜浸润于5μmol/L的适配体溶液中37℃恒温修饰5小时，得到适配体/金纳米颗粒/硼掺杂金刚石复合电极；再将此结构用磷酸缓冲液清洗15分钟后，浸入1mmol/L的6-巯基己-1-醇溶液中修饰30分钟～1小时占据金纳米颗粒上的空白活性位点，得到用于检测黄曲霉毒素B1的6-巯基己-1-醇/适配体/金纳米颗粒/硼掺杂金刚石适体传感器。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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