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一种FOP表面微坑镀膜的致密性检测方法
| 专利名称： | 一种FOP表面微坑镀膜的致密性检测方法 |
| 摘要： | 本发明提供一种FOP表面微坑镀膜的致密性检测方法；将镀膜的FOP放入酸性刻蚀液中刻蚀；检测刻蚀穿孔。这种镀膜的检测方法可以筛选合适的应用于基因测序的FOP基片，消除本身元素的影响。本发明利用酸性刻蚀液，满足一定的条件的情况下，检测镀膜的致密性。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 赛纳生物科技(北京)有限公司 |
| 发明人： | 李文涛;陈子天;郭素 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2018-12-29T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-05-10T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201811638191.9 |
| 公开号： | CN109738469A |
| 代理机构： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) |
| 代理人： | 肖佳 |
| 分类号： | G01N23/22(2018.01);G;G01;G01N;G01N23 |
| 申请人地址： | 100744 北京市大兴区北京经济技术开发区科创七街29号院7号楼1层101室 |
| 主权项： | 1.一种FOP表面微坑镀膜的致密性检测方法，包括，利用酸性刻蚀液刻蚀FOP表面，形成微坑结构；微坑结构所在表面镀二氧化硅薄膜；将镀膜的FOP放入酸性刻蚀液中刻蚀； 检测刻蚀穿孔。 2.根据权利要求1所述的方法，所述FOP微坑的开口直径或者边长为1-6微米，优选1.5-5微米，更优选1.8-3.8微米，更优选2.3-3.2微米。 3.根据权利要求1所述的方法，所述FOP微坑的酸性刻蚀液中刻蚀时间为0.5-5h；优选0.6-4小时，更优选0.8-3小时，更优选1-2小时。 4.根据权利要求1所述的方法，所述所述酸性刻蚀液包括盐酸、硝酸中的至少一种；所述酸性刻蚀液的浓度范围为0.5≤M≤3mol/L。 5.一种基因测序芯片，包括以FOP为基底的反应区；所述FOP基底的表面有微坑；微坑所在的FOP的表面有二氧化硅薄膜层，厚度为0.3-3微米；所述二氧化硅薄膜层能够阻挡酸性刻蚀液的刻蚀；酸性刻蚀液的浓度为Mmol/L，二氧化硅薄膜层的厚度为N微米，刻蚀时间为H小时，满足公式MH≥5N；所述酸性刻蚀液包括盐酸、硝酸中的至少一种；所述酸性刻蚀液的浓度范围为0.5≤M≤3mol/L。 6.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述二氧化硅薄膜层厚度为N微米，微坑的直径或者边长为P微米，满足公式3P≥6N≥P。 7.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述镀膜厚度为N微米，微坑的深度为Q微米，满足公式Q≤6N。 8.一种基因测序方法，包括，提供以FOP为基底的基因测序芯片；提供第一测序试剂；提供第一密封油液；在芯片的一侧设置光源，另一侧设置物镜；其中，所述所述的以FOP的一个表面有预先刻蚀好的微坑，并且其表面有二氧化硅薄膜层；所述二氧化硅薄膜层能够阻挡酸性刻蚀液的刻蚀；物镜聚焦于FOP的另一个表面；摄像系统通过物镜获得测序反应信息。 9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，酸性刻蚀液的浓度为Mmol/L，二氧化硅薄膜层的厚度为N微米，刻蚀时间为H小时，微坑的直径或者边长为P微米，微坑的深度为Q微米，满足公式3P≥6N≥P，以及公式Q≤6N，以及公式MH≥5N。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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