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一种反应烧结碳化硅陶瓷中碳化硅和游离硅含量的测定方法
| 专利名称： | 一种反应烧结碳化硅陶瓷中碳化硅和游离硅含量的测定方法 |
| 摘要： | 本发明提供一种反应烧结碳化硅陶瓷中碳化硅和游离硅含量的测定方法，测定一定面积内的SiC的面积百分比和游离Si的面积百分比；根据阿基米德原理测定反应烧结SiC陶瓷的体积密度，根据公式计算出反应烧结SiC陶瓷SiC的质量百分比含量和游离Si的质量百分比含量。该测定方法简便快捷，可操作性强，具有很好的应用效果。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 发明人： | 陈健;马宁宁;郑嘉棋;黄政仁 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-02-21T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-05-24T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910129922.5 |
| 公开号： | CN109799234A |
| 代理机构： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) |
| 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 分类号： | G01N21/84(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 200050 上海市长宁区定西路1295号 |
| 主权项： | 1.一种反应烧结SiC陶瓷中SiC和游离Si含量的测定方法，其特征在于， 测定一定面积内的SiC的面积百分比ASiC％和游离Si的面积百分比ASi％； 根据阿基米德原理测定反应烧结SiC陶瓷的体积密度ρ， 根据如下公式计算出反应烧结SiC陶瓷中SiC的质量百分比含量αSiC％和游离Si的质量百分比含量αSi％： 其中，ρsi为Si的体积密度，ρsic为SiC的体积密度。 2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于， 该反应烧结SiC陶瓷主要包括SiC和游离Si两相。 3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于， 该反应烧结SiC陶瓷相对致密度≥99％。 4.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于， 根据阿基米德原理测定反应烧结SiC陶瓷样品体积密度的陶瓷样品不少于3个，体积密度取平均值。 5.根据权利要求1至4中任意一项所述的方法，其特征在于， 将上述反应烧结SiC陶瓷样品表面磨平并经金刚石抛光液抛光，表面粗糙度≤4nm。 6.根据权利要求1至5中任意一项所述的方法，其特征在于， 将上述抛光后的反应烧结SiC陶瓷样品通过光学显微镜或者扫描电镜进行拍照。 7.根据权利要求6中所述的方法，其特征在于， 根据统计软件对反应烧结SiC陶瓷所拍照片中SiC和游离Si两相材料面积百分比进行统计。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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