原文传递
一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法
| 专利名称： | 一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法。该方法将生长得到的碳化硅晶锭进行平面磨、滚圆加工；对滚圆后的晶锭进行定向，确定基准轴方向为<11‑20>方向；沿<11‑20>方向加工非对称V型槽；晶锭加工制备成晶片；加工后的晶片其V型槽形成夹角θ，形成夹角θ的两条斜边分别设为a和b，且两条斜边的长度满足a≠b；以两条斜边a＜b还是两条斜边a＞b即可判断出所对应的晶片表面为碳面或是硅面。本发明降低了对晶片的损伤，提高了晶片的有效使用面积，降低了成本，高效实现了对晶片碳硅面的判断；同时能省去晶片原有的大定位边，可以减少再生长得到的晶体缺陷，提高晶体品质。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 天津;12 |
| 申请人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 发明人： | 窦瑛;徐永宽;洪颖;杨丹丹;高飞 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810016138.9 |
| 公开号： | CN107991230A |
| 代理机构： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 |
| 代理人： | 王凤英 |
| 分类号： | G01N19/00(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N19;G01N19/00 |
| 申请人地址： | 300220 天津市河西区洞庭路26号 |
| 主权项： | 一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、将生长得到的碳化硅晶锭进行平面磨、滚圆加工；（2）、对滚圆后的晶锭进行定向，确定基准轴方向为<11‑20>方向；（3）、沿<11‑20>方向加工一个非对称V型槽；（4）、对晶锭进行切割、研磨、倒角和抛光加工，制备成晶片；（5）、加工后的晶片其非对称V型槽形成夹角θ，形成夹角θ的两条斜边分别设为a和b，且两条斜边的长度满足a≠b；（6）、以两条斜边a＜b还是两条斜边a＞b即可判断出所对应的晶片表面为碳面或是硅面。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
