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原文传递硅晶片的金属污染分析方法和硅晶片的制造方法

专利名称：	硅晶片的金属污染分析方法和硅晶片的制造方法
摘要：	本发明提供硅晶片的金属污染分析方法，该分析方法包括：使分析对象的硅晶片的表面与包含氟化氢气体和硝酸气体的蚀刻气体接触，由此将该硅晶片的表层区域蚀刻；使上述硅晶片的通过上述蚀刻而暴露的表面与从包含盐酸和硝酸的混合酸中产生的气体接触；将与从上述混合酸中产生的气体接触之后的硅晶片加热；使上述加热后的硅晶片的通过上述蚀刻而暴露的表面与回收液接触；以及分析与上述硅晶片的通过上述蚀刻而暴露的表面接触之后的回收液中的金属成分。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	日本;JP
申请人：	胜高股份有限公司
发明人：	水野泰辅
专利状态：	有效
申请日期：	2018-02-23T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-22T00:00:00+0800
申请号：	CN201880025413.1
公开号：	CN110494734A
代理机构：	中国专利代理(香港)有限公司
代理人：	张桂霞;杨戬
分类号：	G01N1/28(2006.01);G;G01;G01N;G01N1
申请人地址：	日本东京都
主权项：	1.硅晶片的金属污染分析方法，所述分析方法包括：使分析对象的硅晶片的表面与包含氟化氢气体和硝酸气体的蚀刻气体接触，由此将该硅晶片的表层区域蚀刻；使上述硅晶片的通过上述蚀刻而暴露的表面与从包含盐酸和硝酸的混合酸中产生的气体接触；将与从上述混合酸中产生的气体接触之后的硅晶片加热；使上述加热后的硅晶片的通过上述蚀刻而暴露的表面与回收液接触；以及分析与上述硅晶片的通过上述蚀刻而暴露的表面接触之后的回收液中的金属成分。 2.权利要求1所述的硅晶片的金属污染分析方法，其中，与从上述混合酸中产生的气体接触之后的硅晶片的加热是将该硅晶片加热至200~350℃的晶片表面温度。 3.权利要求1或2所述的硅晶片的金属污染分析方法，所述分析方法包括：使上述蚀刻气体从包含氢氟酸、硝酸和硅片的溶液中产生。 4.权利要求3所述的硅晶片的金属污染分析方法，所述分析方法包括：通过将上述溶液加热来促进上述蚀刻气体的产生。 5.权利要求4所述的硅晶片的金属污染分析方法，所述分析方法包括：将上述溶液加热至液温30~60℃。 6.权利要求4所述的硅晶片的金属污染分析方法，所述分析方法包括：将上述溶液加热至液温30~50℃。 7.权利要求4~6中任一项所述的硅晶片的金属污染分析方法，所述分析方法包括：通过安装于密封容器的橡胶加热器进行上述溶液的加热，所述密封容器包含上述溶液、和以与该溶液不接触的状态配置的上述分析对象的硅晶片。 8.硅晶片的制造方法，所述制造方法包括：准备包含多个硅晶片的硅晶片批次；通过权利要求1~7中任一项所述的方法分析上述硅晶片批次内的至少1个硅晶片的金属污染；和将上述分析的结果中与金属污染水平被判定为容许水平的硅晶片同一批次内的其他的1个以上的硅晶片交付出货为产品硅晶片的准备。 9.硅晶片的制造方法，所述制造方法包括：在评价对象的制造工序中制造硅晶片；通过权利要求1~7中任一项所述的方法分析上述所制造的硅晶片的金属污染；和在制造分析的结果为金属污染水平被判定为容许水平的硅晶片的制造工序中、或者在制造金属污染水平被判定为超过容许水平的硅晶片的制造工序中实施了金属污染降低处理之后的该制造工序中，制造硅晶片。 10.权利要求9所述的硅晶片的制造方法，上述评价对象的制造工序包含热处理炉；在上述分析的结果中金属污染水平被判定为超过容许水平的情况下，对上述热处理炉实施上述金属污染降低处理。
所属类别：	发明专利