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原文传递硅晶片输送缓冲结构

专利名称：	硅晶片输送缓冲结构
摘要：	本实用新型公开了一种硅晶片输送缓冲结构，它包括输送带，其特征是在输送带的下方设有底板，在底板下固定连接有气缸，气缸固定在底座上，在底板上处于输送带的两侧设有缓冲垫。本实用新型得到的一种硅晶片输送缓冲结构，使用时，气缸提升，使输送带的水平面处在缓冲垫的下方，硅晶片移动后放置在缓冲垫上，然后气缸下降带动缓冲垫下降，使已在缓冲垫上的硅晶片过渡到输送带上，由此实现了将硅晶片平稳放置并安全过渡到输送带上的目的，并且防止了硅晶片可能受到的撞击，提高了硅晶片生产的合格率和安全的自动化过程。
专利类型：	实用新型专利
申请人：	浙江百力达太阳能有限公司
发明人：	沈汉明
专利状态：	有效
申请日期：	2010-06-23T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201020234466.5
公开号：	CN201751342U
分类号：	B65G49/07(2006.01)I
申请人地址：	314512 浙江省嘉兴市桐乡市河山工业园浙江百力达太阳能有限公司
主权项：	一种硅晶片输送缓冲结构，它包括输送带(2)，其特征是在输送带(2)的下方设有底板(3)，在底板(3)下固定连接有气缸(4)，气缸(4)固定在底座(5)上，在底板(3)上处于输送带(2)的两侧设有缓冲垫(1)。?
所属类别：	实用新型