详情

原文传递硅晶片的生成方法

专利名称：	硅晶片的生成方法
摘要：	提供硅晶片的生成方法，能够从硅锭高效地生成硅晶片。硅晶片的生成方法包含如下的工序：块锭生成工序，对硅锭(2)进行切断而生成块锭(6)；平坦化工序，对块锭(6)的端面(6a)进行磨削而进行平坦化；分离层形成工序，将对于硅具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点定位在块锭(6)的距离端面(6a)相当于要生成的晶片(70)的厚度的深度的内部，对块锭(6)照射激光光线(LB)而形成分离层(40)；以及晶片生成工序，从分离层(40)分离出要生成的硅晶片(70)。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	日本;JP
申请人：	株式会社迪思科
发明人：	关家一马
专利状态：	有效
申请号：	CN201810811381.X
公开号：	CN109382921A
代理机构：	北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：	于靖帅;乔婉
分类号：	B28D5/04(2006.01)I;B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	日本东京都
主权项：	1.一种硅晶片的生成方法，从硅锭生成硅晶片，其中，该硅晶片的生成方法具有如下的工序：块锭生成工序，对硅锭进行切断而生成块锭；平坦化工序，对块锭的端面进行磨削而进行平坦化；分离层形成工序，将对于硅具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在块锭的距离端面相当于要生成的晶片的厚度的深度的内部，对块锭照射激光光线而形成分离层；以及晶片生成工序，在实施了分离层形成工序之后，从该分离层分离出要生成的硅晶片。
所属类别：	发明专利