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原文传递晶片的制造方法

专利名称：	晶片的制造方法
摘要：	本发明提供晶片的制造方法，能够防止分离层弯曲。晶片的制造方法包含如下的工序：Z坐标测量工序，将所要形成的分离层作为XY平面，与X坐标Y坐标对应地测量照射激光光线的锭的上表面的高度Z(X,Y)；计算工序，将所要形成的分离层的Z坐标设为Z0，计算与所测量的高度Z(X,Y)的差(Z(X,Y)‑Z0)，求出聚光器的Z坐标；分离层形成工序，使保持单元与聚光器在X轴方向和Y轴方向上相对地移动，根据通过计算工序而求出的Z坐标使聚光器在Z轴方向上移动而将聚光点定位于Z0，形成分离层；以及晶片分离工序，从分离层将锭与晶片分离。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	日本;JP
申请人：	株式会社迪思科
发明人：	平田和也
专利状态：	有效
申请日期：	2021-09-08T00:00:00+0800
发布日期：	2022-03-18T00:00:00+0800
申请号：	CN202111049028.0
公开号：	CN114193641A
代理机构：	北京三友知识产权代理有限公司
代理人：	于靖帅;乔婉
分类号：	B28D5/04;B28D7/04;B28D7/00;H01L21/78;B;H;B28;H01;B28D;H01L;B28D5;B28D7;H01L21;B28D5/04;B28D7/04;B28D7/00;H01L21/78
申请人地址：	日本东京都
主权项：	1.一种晶片的制造方法，从半导体锭的端面将对于半导体锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于半导体锭的内部而向半导体锭照射激光光线，形成分离层，从该分离层制造晶片，其中，该晶片的制造方法包含如下的工序：准备工序，准备激光加工装置，该激光加工装置具有保持单元、激光光线照射单元、X轴移动机构以及Y轴移动机构，该保持单元对半导体锭进行保持，该激光光线照射单元具有能够使聚光点在Z轴方向上移动的聚光器并从该保持单元所保持的半导体锭的端面照射激光光线，该X轴移动机构使该保持单元与该聚光器在X轴方向上相对地移动，该Y轴移动机构使该保持单元与该聚光器在Y轴方向上相对地移动； Z坐标测量工序，将待形成的分离层作为XY平面，与X坐标Y坐标对应地测量要照射激光光线的半导体锭的上表面的高度Z(X,Y)；计算工序，将该待形成的分离层的Z坐标设为Z0，计算与所测量的高度Z(X,Y)的差(Z(X,Y)-Z0)，从而求出该聚光器的Z坐标；分离层形成工序，使该X轴移动机构和该Y轴移动机构进行动作而使该保持单元与该聚光器在X轴方向和Y轴方向上相对地移动，根据通过该计算工序而求出的Z坐标使该聚光器在Z轴方向上移动，从而将聚光点定位于Z0而形成分离层；以及晶片分离工序，从该分离层将半导体锭与晶片分离。 2.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其中，在该计算工序中，在将该聚光器的物镜的数值孔径设为NA(sinθ)，将该物镜的焦距设为h，将锭的折射率设为n(sinθ/sinβ)，将该物镜的Z坐标设为Z的情况下，对该物镜进行定位的Z坐标通过Z＝h+(Z(X,Y)-Z0)(1-tanβ/tanθ)而求出。 3.根据权利要求1或2所述的晶片的制造方法，其中，半导体锭是SiC锭，该分离层形成工序包含如下的工序：加工进给工序，将与形成偏离角的方向垂直的方向作为X轴方向，将该保持单元与该聚光器在X轴方向上相对地进行加工进给，其中，该偏离角是c面相对于SiC锭的端面倾斜而形成的；以及分度进给工序，将该保持单元与该聚光器在Y轴方向上相对地进行分度进给。 4.根据权利要求1或2所述的晶片的制造方法，其中，半导体锭是Si锭，该分离层形成工序包含如下的工序：加工进给工序，将晶面(100)作为该SiC锭的端面，将与晶面{100}和晶面{111}相交的交叉线平行的方向<110>或与该交叉线垂直的方向[110]作为X轴方向，将该保持单元与该聚光器在X轴方向上相对地进行加工进给；以及分度进给工序，将该保持单元与该聚光器在Y轴方向上相对地进行分度进给。
所属类别：	发明专利