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原文传递晶片的加工方法

专利名称：	晶片的加工方法
摘要：	提供晶片的加工方法。该晶片是在正面上由交叉形成的多条分割预定线划分的芯片区域内分别形成有器件的器件晶片，其正面被密封材料密封，该方法具有如下工序：对准工序，通过可见光拍摄构件透过密封材料对器件晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记并据此检测应进行激光加工的分割预定线；改质层形成工序，将对于器件晶片和密封材料具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在器件晶片或密封材料的内部并沿着分割预定线照射而形成改质层；和分割工序，对器件晶片和密封材料赋予外力而以改质层为分割起点将该晶片分割成正面被密封材料密封的各个器件芯片，一边通过倾斜光构件对可见光拍摄构件所拍摄的区域斜着照射光，一边实施对准工序。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	日本;JP
申请人：	株式会社迪思科
发明人：	铃木克彦;伴祐人
专利状态：	有效
申请号：	CN201811066921.2
公开号：	CN109514744A
代理机构：	北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：	于靖帅;乔婉
分类号：	B28D5/00(2006.01)I;B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	日本东京都
主权项：	1.一种晶片的加工方法，该晶片是在正面上由交叉形成的多条分割预定线划分的芯片区域内分别形成有器件的器件晶片，该器件晶片的正面被密封材料密封，在该密封材料的该芯片区域内分别形成有多个凸块，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的工序：对准工序，从该晶片的正面侧通过可见光拍摄构件透过该密封材料对该器件晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记，根据该对准标记来检测应进行激光加工的该分割预定线；改质层形成工序，在实施了该对准工序之后，将对于该器件晶片和该密封材料具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在该器件晶片或该密封材料的内部，从该晶片的正面侧沿着该分割预定线照射激光束，在该器件晶片和该密封材料的内部形成改质层；以及分割工序，在实施了该改质层形成工序之后，对该器件晶片和该密封材料赋予外力而以该改质层为分割起点将该晶片分割成正面被该密封材料密封的各个器件芯片，一边通过倾斜光构件对该可见光拍摄构件所拍摄的区域斜着照射光，一边实施该对准工序。
所属类别：	发明专利