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原文传递一种磷化铟晶片加工方法

专利名称：	一种磷化铟晶片加工方法
摘要：	本发明公开了一种磷化铟晶片加工方法。该方法工艺流程：1、将生长的原始单晶根据直径和单晶情况进行头尾切断；2、将头尾切断后的晶锭在方向制作小参考面；3、将制作好小参考面的晶锭进行粘棒并定向切割；4、对切割后形状不规则的晶片按照最小直径进行直径分档；5、对分档后的晶片按照国标规定的标准尺寸进行激光割圆；6、对激光割圆后的晶片进行边缘倒角；7、对晶片进行后续加工。采用该方法进行直径不均匀的InP单晶晶片加工，可以有效降低加工损耗，挽救问题单晶片，提高有效出片面积，对于LEC法拉制的InP单晶，采用该方法加工每棵晶锭的有效出片面积能够提高20%以上，特殊情况能达到50%甚至更高。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	天津;12
申请人：	中国电子科技集团公司第四十六研究所
发明人：	索开南;杨洪星;韩焕鹏;张伟才;庞炳远;徐聪;王雄龙;杨静;陈晨
专利状态：	有效
申请日期：	2019-07-18T00:00:00+0800
发布日期：	2019-10-15T00:00:00+0800
申请号：	CN201910650836.9
公开号：	CN110328766A
代理机构：	天津中环专利商标代理有限公司
代理人：	王凤英
分类号：	B28D5/00(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	300220 天津市河西区洞庭路26号
主权项：	1.一种磷化铟晶片加工方法，其特征在于，所述方法有以下步骤： S201、将生长的原始单晶根据直径和单晶情况进行头尾切断； S202、将头尾切断后的晶锭在（）方向制作小参考面； S203、将制作好小参考面的晶锭进行粘棒并定向切割； S204、对切割后形状不规则的晶片按照最小直径进行直径分档； S204.1、对分档后的晶片按照国标规定的标准尺寸进行激光割圆； S205、对激光割圆后的晶片进行边缘倒角； S206、对晶片进行后续加工。 2.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶片加工方法，其特征在于，在所述S202步骤中，小参考面的制作宽度为3-10mm。 3.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶片加工方法，其特征在于，在所述S202步骤中，小参考面的制作宽度为5-10mm。 4.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶片加工方法，其特征在于，在所述S203步骤中，对于表面没有滚圆的晶锭，在切割前的粘棒时，将晶锭和树脂条的粘接位置与参考面呈180°夹角；粘棒过程用粘胶将晶锭粘接处全部垫实。 5.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶片加工方法，其特征在于，在所述S204步骤中，对切割后形状不规则的晶片进行分选，分选规则如下： 1）、分选出肉眼能够识别的单晶问题片； 2）、按照以下标准晶片尺寸进行直径分档： 2英寸档：50.8mm-76.2mm；3英寸档：76.2mm-100.0mm；4英寸档：100.0mm-125.0mm；5英寸档：125.0mm-150.0mm；6英寸档：150.0mm-200.0mm。
所属类别：	发明专利