专利名称: |
一种磷化铟晶片加工方法 |
摘要: |
本发明公开了一种磷化铟晶片加工方法。该方法工艺流程:1、将生长的原始单晶根据直径和单晶情况进行头尾切断;2、将头尾切断后的晶锭在方向制作小参考面;3、将制作好小参考面的晶锭进行粘棒并定向切割;4、对切割后形状不规则的晶片按照最小直径进行直径分档;5、对分档后的晶片按照国标规定的标准尺寸进行激光割圆;6、对激光割圆后的晶片进行边缘倒角;7、对晶片进行后续加工。采用该方法进行直径不均匀的InP单晶晶片加工,可以有效降低加工损耗,挽救问题单晶片,提高有效出片面积,对于LEC法拉制的InP单晶,采用该方法加工每棵晶锭的有效出片面积能够提高20%以上,特殊情况能达到50%甚至更高。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
天津;12 |
申请人: |
中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
发明人: |
索开南;杨洪星;韩焕鹏;张伟才;庞炳远;徐聪;王雄龙;杨静;陈晨 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-07-18T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-10-15T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910650836.9 |
公开号: |
CN110328766A |
代理机构: |
天津中环专利商标代理有限公司 |
代理人: |
王凤英 |
分类号: |
B28D5/00(2006.01);B;B28;B28D;B28D5 |
申请人地址: |
300220 天津市河西区洞庭路26号 |
主权项: |
1.一种磷化铟晶片加工方法,其特征在于,所述方法有以下步骤: S201、将生长的原始单晶根据直径和单晶情况进行头尾切断; S202、将头尾切断后的晶锭在()方向制作小参考面; S203、将制作好小参考面的晶锭进行粘棒并定向切割; S204、对切割后形状不规则的晶片按照最小直径进行直径分档; S204.1、对分档后的晶片按照国标规定的标准尺寸进行激光割圆; S205、对激光割圆后的晶片进行边缘倒角; S206、对晶片进行后续加工。 2.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶片加工方法,其特征在于,在所述S202步骤中,小参考面的制作宽度为3-10mm。 3.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶片加工方法,其特征在于,在所述S202步骤中,小参考面的制作宽度为5-10mm。 4.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶片加工方法,其特征在于,在所述S203步骤中,对于表面没有滚圆的晶锭,在切割前的粘棒时,将晶锭和树脂条的粘接位置与参考面呈180°夹角;粘棒过程用粘胶将晶锭粘接处全部垫实。 5.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶片加工方法,其特征在于,在所述S204步骤中,对切割后形状不规则的晶片进行分选,分选规则如下: 1)、分选出肉眼能够识别的单晶问题片; 2)、按照以下标准晶片尺寸进行直径分档: 2英寸档:50.8mm-76.2mm;3英寸档:76.2mm-100.0mm;4英寸档:100.0mm-125.0mm;5英寸档:125.0mm-150.0mm;6英寸档:150.0mm-200.0mm。 |
所属类别: |
发明专利 |