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一种大尺寸薄片磷化铟晶片的线切割加工方法
| 专利名称： | 一种大尺寸薄片磷化铟晶片的线切割加工方法 |
| 摘要： | 本发明公开一种大尺寸薄片磷化铟晶片的线切割加工方法，包括以下步骤：(1)石墨支撑件上加工一个与晶体外缘形状适应并对晶体外缘形成半包围状态的晶体放置槽；(2)在晶体与石墨支撑件的配合面间均匀涂抹胶层，将晶体粘在石墨支撑件上；(3)所述胶层干燥后，对晶体进行线切割加工，得到晶片。本发明解决了大尺寸磷化铟晶圆在线切割工艺中的破片问题，使薄片磷化铟晶片的加工破损率降低，提高效率、进一步降低成本。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 广东;44 |
| 申请人： | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 |
| 发明人： | 刘鹏;段满龙 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2018-12-29T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-05-17T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201811645594.6 |
| 公开号： | CN109760221A |
| 代理机构： | 广东朗乾律师事务所 |
| 代理人： | 闫有幸;杨焕军 |
| 分类号： | B28D5/04(2006.01);B;B28;B28D;B28D5 |
| 申请人地址： | 519000 广东省珠海市香洲区高新区金鼎工业片区金瑞二路南侧A1栋厂房 |
| 主权项： | 1.一种大尺寸薄片磷化铟晶片的线切割加工方法，其特征在于，包括以下步骤： (1)石墨支撑件上加工一个与晶体外缘形状适应并对晶体外缘形成半包围状态的晶体放置槽； (2)在晶体与石墨支撑件的配合面间均匀涂抹胶层，将晶体粘在石墨支撑件上； (3)所述胶层干燥后，对晶体进行线切割加工，得到晶片。 2.根据权利要求1所述的大尺寸薄片磷化铟晶片的线切割加工方法，其特征在于，所述胶层为1:1调配的环氧水质胶。 3.根据权利要求1或2所述的大尺寸薄片磷化铟晶片的线切割加工方法，其特征在于，所述线切割为通过多线切割机进行切割。 4.根据权利要求1所述的大尺寸薄片磷化铟晶片的线切割加工方法，其特征在于，所述线切割加工包括切片、割片及清洗操作。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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