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原文传递晶片结构及晶片处理方法

专利名称：	晶片结构及晶片处理方法
摘要：	本发明是关于一种晶片结构及其晶片处理方法，晶片结构包含多个芯片、多个金属垫、一保护层以及一绝缘层。这些芯片呈阵列排列，且各该芯片间的相邻区域定义一切割道；这些金属垫形成于该切割道上；该保护层形成于这些芯片与该切割道上，并覆盖这些金属垫；该绝缘层形成于该切割道的该保护层上，且该绝缘层至少局部覆盖这些金属垫或形成于这些金属垫与这些芯片之间。晶片处理方法包含将前述的晶片结构沿该切割道切割以形成多个单独的芯片，并至少局部移除这些金属垫。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	中国;CN
申请人：	南茂科技股份有限公司
发明人：	齐中邦;沈更新;陈文阳
专利状态：	有效
申请日期：	2009-07-02T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN200910159461.2
公开号：	CN101937887A
代理机构：	上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人：	任永武
分类号：	H01L23/31(2006.01)I
申请人地址：	中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号
主权项：	一种晶片结构，包含：多个芯片，呈阵列排列，各该芯片间的相邻区域定义为一切割道；多个金属垫，形成于该切割道上；一保护层，形成于这些芯片与该切割道上，并覆盖这些金属垫；以及一绝缘层，形成于该切割道的该保护层上，并且至少局部覆盖这些金属垫。
所属类别：	发明专利