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原文传递 旋转型半导体晶片处理装置和半导体晶片处理方法
专利名称: 旋转型半导体晶片处理装置和半导体晶片处理方法
摘要: 本发明的半导体晶片处理装置包含处理半导体晶片的N(大于1的正整数)个工艺腔;以彼此间隔360/N度环形均布,且被支撑起围绕一圆心旋转;至少一对将半导体晶片送进/出N个工艺腔之一中的彼此间隔360M/N度环形均布的晶片传递装置,其中1≤M≤(N-1)的正整数;一将其中任何两个工艺腔旋转以面对晶片传递装置的驱动装置。本发明的装置不会导致半导体晶片等待处理的现象而增加了生产量。
专利类型: 发明专利
申请人: 日本电气株式会社
发明人: 东久美子
专利状态: 有效
申请日期: 1996-05-31T00:00:00+0800
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN96110013.3
公开号: CN1144398
代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
代理人: 萧掬昌; 张志醒
分类号: H01L21/30
申请人地址: 日本东京都
所属类别: 发明专利
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