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原文传递用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法

专利名称：	用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法
摘要：	本发明提供了用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法。公开了碳化硅(SiC)晶片(8A)和相关方法，其包括配置以减少与由于重力或先前存在的结晶应力所造成的这些晶片(8A)的变形、弯曲或下垂有关的生产问题的故意或强加的晶片(8A)形状。故意或强加的晶片(8A)形状可以包括具有相对于其硅面的松弛正弯的SiC晶片(8A)。以这种方式，可以降低与SiC晶片(8A)，并且具体地大面积SiC晶片(8A)的变形、弯曲或下垂有关的影响。公开了用于提供具有松弛正弯的SiC晶片(8A)的相关方法，所述方法提供了减小的块状晶体材料(70、90、92A、92)的切割损失。这些方法可以包括SiC(6H)晶片(8A)与块状晶体材料(70、90、92A、92)的激光辅助分离。
专利类型：	发明专利
申请人：	沃孚半导体公司
发明人：	西蒙·布贝尔;马修·多诺弗里奥;约翰·埃德蒙;伊恩·柯里尔
专利状态：	有效
申请日期：	2020-03-13T00:00:00+0800
发布日期：	2023-11-10T00:00:00+0800
申请号：	CN202311010709.5
公开号：	CN117021381A
代理机构：	北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人：	张晓影
分类号：	B28D5/00;H01L29/16;B;H;B28;H01;B28D;H01L;B28D5;H01L29;B28D5/00;H01L29/16
申请人地址：	美国北卡罗来纳州
主权项：	1.一种碳化硅(SiC)晶片，包括：硅面和碳面；至少200毫米(mm)的直径；以及从所述硅面的松弛正弯。 2.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在大于0μm至50μm的范围内。 3.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在大于0μm至40μm的范围内。 4.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在大于0μm至15μm的范围内。 5.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在包括30μm至50μm的范围内。 6.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在包括8μm至16μm的范围内。 7.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中SiC晶片包含n-型导电SiC晶片。 8.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中SiC晶片包含半绝缘SiC晶片。 9.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中SiC晶片包含无意掺杂的SiC晶片。 10.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中SiC晶片的所述碳面包含对应于从所述硅面的松弛正弯的形状。 11.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中通过所述松弛正弯所限定的硅面的轮廓不同于SiC晶片的所述碳面的轮廓。 12.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中SiC晶片设置有小于250μm的切割损失。 13.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中所述直径在200mm至205mm的范围内。 14.一种碳化硅(SiC)晶片，包括：硅面和碳面；以及从所述硅面的松弛正弯，其中所述松弛正弯设置有小于250μm的切割损失。 15.根据权利要求14所述的SiC晶片，其中所述切割损失小于175μm。 16.根据权利要求14所述的SiC晶片，其中所述切割损失在100μm至250μm的范围内。 17.根据权利要求14所述的SiC晶片，其中所述切割损失在80μm至140μm的范围内。 18.一种碳化硅(SiC)晶片，包括硅面、碳面、至少200mm的直径以及从所述硅面的松弛正弯，其中SiC晶片通过沿表面下激光损坏图案从SiC块状晶体材料分离所述SiC晶片的方法形成。 19.根据权利要求18所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在大于0μm至50μm的范围内。 20.根据权利要求18所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在包括30μm至50μm的范围内。 21.根据权利要求18所述的SiC晶片，其中所述SiC晶片的碳面包含对应于从所述硅面的松弛正弯的形状。 22.根据权利要求18所述的SiC晶片，其中通过所述松弛正弯所限定的硅面的轮廓不同于所述SiC晶片的所述碳面的轮廓。 23.根据权利要求18所述的SiC晶片，其中所述SiC晶片设置有小于250μm的切割损失。 24.根据权利要求18所述的SiC晶片，其中所述直径在200mm至205mm的范围内。
所属类别：	发明专利