专利名称: |
材料弯曲性能的检测方法 |
摘要: |
本公开涉及一种材料弯曲性能的检测方法。该方法包括:在支撑层上生成目标厚度的待测材料薄膜,得到待测件;对支撑层进行刻蚀处理,获取支撑座,支撑座用于在待测件的一端或两端支撑待测件;在预设的检测环境中,对待测件的待测位置施加载荷;根据载荷以及待测位置的位移变化,确定待测件的弯曲模量。其中,目标宽度为1‑10mm、目标厚度为100‑5000nm,待测件未被支撑座覆盖部分的待测长度为0.1‑2mm。本公开实施例所提供的材料弯曲性能的检测方法,可以对尺寸为微米量级和纳米量级的待测件进行弯曲试验,获取待测件的弯曲模量,适用范围广泛、成本低。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
北京;11 |
申请人: |
清华大学 |
发明人: |
冯雪;李燕;方旭飞 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-03-18T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-05-28T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910204475.5 |
公开号: |
CN109813613A |
代理机构: |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) |
代理人: |
刘新宇 |
分类号: |
G01N3/20(2006.01);G;G01;G01N;G01N3 |
申请人地址: |
100084 北京市海淀区清华园1号 |
主权项: |
1.一种材料弯曲性能的检测方法,其特征在于,所述方法包括: 在支撑层上生成目标厚度的待测材料薄膜,得到待测件,所述支撑层、所述待测材料薄膜的宽度和长度分别为目标宽度、目标长度; 对所述支撑层进行刻蚀处理,获取支撑座,所述支撑座用于在所述待测件的一端或两端支撑所述待测件; 在预设的检测环境中,对所述待测件的待测位置施加载荷; 根据所述载荷以及所述待测位置的位移变化,确定所述待测件的弯曲模量, 其中,所述目标宽度为1mm-10mm,所述目标厚度为100nm-5000nm,所述待测件未被所述支撑座覆盖部分的待测长度为0.1mm-2mm。 2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述支撑层进行刻蚀处理,获取支撑座,包括: 以第一掩膜版为掩膜,对所述支撑层进行刻蚀处理,获得用于支撑待测件的两个支撑座,所述两个支撑座位于所述待测件的两端。 3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述支撑层进行刻蚀处理,获取支撑座,包括: 以第二掩膜版为掩膜,对所述支撑层进行刻蚀处理,获得用于支撑所述待测件的一个支撑座,所述支撑座位于所述待测件的一端。 4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括: 在所述待测件上生成保护层; 对所述保护层进行刻蚀处理,形成用于保护所述待测件的保护部件,所述保护部件位于所述待测件的一端或两端、且与所述支撑座相对应的位置。 5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在预设的检测环境中,对所述待测件的待测位置施加载荷,包括: 将带有支撑座和保护部件的待测件固定在纳米压痕仪中,通过所述纳米压痕仪为所述待测件提供预设的检测环境; 控制所述纳米压痕仪的压头对所述待测件的待测位置施加载荷。 6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据所述载荷以及所述待测位置的位移变化,确定所述待测件的弯曲模量,包括: 采用如下公式计算所述待测件的弯曲模量E, 其中,F为所述载荷,h为所述待测位置的最大位移,a为所述目标宽度,b为所述目标厚度,l为所述待测长度,m为系数。 7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预设的检测环境的温度为20℃-1000℃。 8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预设的检测环境中所填充的气体包括氮气、氦气和空气中的任一种。 9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述目标宽度为2mm-10mm、所述目标厚度为100nm-1000nm,所述待测件未被所述支撑座覆盖部分的待测长度为0.5mm-2mm。 |
所属类别: |
发明专利 |