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原文传递剥离装置

专利名称：	剥离装置
摘要：	提供剥离装置，其能够容易地以剥离层为起点将晶片从锭剥离。剥离装置包含：锭保持单元，其使相当于晶片的部分向上而对锭(50)进行保持；超声波振荡单元，其振荡出超声波，该超声波振荡单元具有与相当于晶片的部分面对的端面；水提供单元，其对相当于晶片的部分与超声波振荡单元的端面之间提供水；以及剥离单元，其对相当于晶片的部分进行吸引保持并将晶片从锭剥离。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	日本;JP
申请人：	株式会社迪思科
发明人：	日野原和之;山本凉兵
专利状态：	有效
申请日期：	2018-11-26T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-04T00:00:00+0800
申请号：	CN201811414666.6
公开号：	CN109834858A
代理机构：	北京三友知识产权代理有限公司
代理人：	乔婉;于靖帅
分类号：	B28D5/00(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	日本东京都
主权项：	1.一种剥离装置，其从将具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于相当于晶片的厚度的深度而照射激光光线从而形成有剥离层的锭将该晶片剥离，其中，该剥离装置包含：锭保持单元，其使相当于该晶片的部分向上而对锭进行保持；超声波振荡单元，其振荡出超声波，该超声波振荡单元具有与相当于该晶片的部分面对的端面；水提供单元，其对相当于该晶片的部分与该超声波振荡单元的该端面之间提供水；以及剥离单元，其对相当于该晶片的部分进行吸引保持并将该晶片从锭剥离。 2.根据权利要求1所述的剥离装置，其中，所述锭是单晶SiC锭，其具有c轴和与c轴垂直的c面，所述剥离层由改质部和从改质部沿c面按照各向同性形成的裂纹构成，其中，所述改质部按照如下方式形成：将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离单晶SiC锭的端面相当于该晶片的厚度的深度而对单晶SiC锭照射激光光线，使SiC分离成Si和C，从而形成该改质部。 3.根据权利要求2所述的剥离装置，其中，所述锭是c轴相对于端面的垂线倾斜并且通过c面和端面形成有偏离角的单晶SiC锭，所述剥离层按照如下方式形成：在与形成有偏离角的方向垂直的方向上连续地形成改质部并且从改质部沿c面按照各向同性生成裂纹，在形成有偏离角的方向上在不超过裂纹的宽度的范围内将单晶SiC锭与聚光点相对地进行转位进给，从而在与形成有偏离角的方向垂直的方向上连续地形成改质部，并且从改质部沿c面按照各向同性依次生成裂纹，从而形成该剥离层。
所属类别：	发明专利