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原文传递检测缺陷的方法和用于执行该方法的设备

专利名称：	检测缺陷的方法和用于执行该方法的设备
摘要：	在检测缺陷的方法中，可以使用第一电子束来初步扫描衬底的区域以检测第一缺陷。可以使用第二电子束来二次扫描所述衬底的剩余区域以检测第二缺陷，所述衬底的所述剩余区域可以是通过从所述衬底的所述区域中排除所述第一缺陷可能位于的部分来定义的。因此，可以在随后的扫描过程中不扫描具有缺陷的部分，从而可以显着地减少扫描时间。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	韩国;KR
申请人：	三星电子株式会社
发明人：	宋弦昔;姜仁勇;朴钟主
专利状态：	有效
申请日期：	2018-11-20T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-04T00:00:00+0800
申请号：	CN201811383582.0
公开号：	CN109839391A
代理机构：	北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人：	赵南;张青
分类号：	G01N23/00(2006.01);G;G01;G01N;G01N23
申请人地址：	韩国京畿道
主权项：	1.一种检测缺陷的方法，所述方法包括：使用第一电子束来初步扫描衬底的区域；检测第一缺陷；使用第二电子束来二次扫描衬底的第一剩余区域；以及检测第二缺陷，其中，所述衬底的所述第一剩余区域是通过从所述衬底的所述区域排除所述第一缺陷所位于的第一部分来定义的。 2.根据权利要求1所述的方法，其中，检测所述第一缺陷包括：使用第一电子束来初步扫描所述衬底的所述区域以获得第一图像；以及将第一缺陷检测灵敏度应用于所述第一图像以检测所述第一缺陷。 3.如权利要求2所述的方法，其中，检测所述第一缺陷包括：测量第一图像与不包括缺陷的正常衬底的参考图像之间的电压差；以及将所述第一缺陷检测灵敏度应用于所述电压差。 4.如权利要求2所述的方法，其中，检测所述第二缺陷包括：使用第二电子束来二次扫描所述衬底的所述第一剩余区域；获得第二图像；以及将第二缺陷检测灵敏度应用于所述第二图像以便检测所述第二缺陷，其中，所述第二缺陷检测灵敏度高于所述第一缺陷检测灵敏度，并且其中，第二缺陷的大小小于所述第一缺陷的大小。 5.如权利要求4所述的方法，其中，获得所述第二图像包括：提供强度高于所述第一电子束的强度所述第二电子束；以及使用所述第二电子束来二次扫描所述衬底的所述第一剩余区域，以便提供可见度高于所述第一图像的可见度的所述第二图像。 6.如权利要求4所述的方法，其中，检测所述第二缺陷包括：测量所述第二图像与没有缺陷的正常衬底的参考图像之间的电压差；以及将所述第二缺陷检测灵敏度应用于所述电压差。 7.如权利要求1所述的方法，还包括：使用初步电子束来扫描所述衬底的所述区域，以及将所述衬底的所述区域划分为图案化区域和非图案化区域。 8.根据权利要求7所述的方法，其中，将所述衬底的所述区域划分为所述图案化区域和所述非图案化区域包括：使用初步电子束来扫描所述衬底的所述区域；获得初步图像；以及将初步缺陷检测灵敏度应用于所述初步图像，所述初步缺陷检测灵敏度低于所述第一缺陷检测灵敏度。 9.根据权利要求8所述的方法，其中，将所述初步缺陷检测灵敏度应用于所述初步图像包括：测量所述初步图像与没有缺陷的正常衬底的参考图像之间的电压差；以及将所述初步缺陷检测灵敏度应用于所述电压差。 10.如权利要求8所述的方法，其中，获得所述初步图像包括：提供强度低于所述第一电子束的强度的初步电子束；以及使用所述初步电子束扫描所述衬底的所述区域，以便提供可见度低于第一图像的可见度的初步图像，所述第一图像是通过使用所述第一电子束来初步扫描所述衬底的所述区域而获得的。 11.根据权利要求7所述的方法，其中，使用所述第一电子束来初步扫描所述衬底的所述区域包括：使用所述第一电子束来初步扫描所述衬底的所述图案化区域。 12.如权利要求1所述的方法，还包括：使用第三电子束来第三次扫描所述衬底的第二剩余区域以检测第三缺陷，其中，所述衬底的所述第二剩余区域是通过从所述第一剩余区域排除所述第二缺陷所位于的第二部分来定义的。 13.如权利要求12所述的方法，其中，检测所述第三缺陷包括：使用第三电子束来第三次扫描所述衬底的所述第二剩余区域；获得第三图像；将第三缺陷检测灵敏度应用于所述第三图像；以及检测所述第三缺陷，其中，所述第三缺陷检测灵敏度高于用于检测所述第二缺陷的第二缺陷检测灵敏度，并且其中，所述第三缺陷的大小小于所述第二缺陷的大小。 14.如权利要求13所述的方法，其中，获得所述第三图像包括：提供强度高于所述第二电子束的强度的第三电子束；以及使用所述第三电子束来第三次扫描所述衬底的所述第二剩余区域，以便提供可见度高于第二图像的可见度的第三图像，所述第二图像是通过使用第二电子束来二次扫描所述衬底的所述第一剩余区域而获得的。 15.如权利要求13所述的方法，其中，检测所述第三缺陷包括：测量所述第三图像与没有缺陷的正常衬底的参考图像之间的电压差；以及将所述第三缺陷检测灵敏度应用于所述电压差。 16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括半导体衬底或掩模衬底。 17.一种用于检测缺陷的方法，所述方法包括：使用初步电子束扫描衬底的整个区域；获得初步图像；将初步缺陷检测灵敏度应用于所述初步图像；将所述衬底的所述整个区域划分为图案化区域和非图案化区域；使用第一电子束来初步扫描所述衬底的所述图案化区域；获得第一图像；将第一缺陷检测灵敏度应用于所述第一图像，所述第一缺陷检测灵敏度高于所述初步缺陷检测灵敏度；检测第一缺陷；使用第二电子束来二次扫描所述图案化区域的第一剩余区域，所述图案化区域的所述第一剩余区域是通过从所述图案化区域排除所述第一缺陷所位于的第一部分来定义的；获得第二图像；将第二缺陷检测灵敏度应用于所述第二图像，所述第二缺陷检测灵敏度高于所述第一缺陷检测灵敏度；以及检测第二缺陷。 18.如权利要求17所述的方法，其中，将所述初步缺陷检测灵敏度应用于所述初步图像包括：测量所述初步图像与没有缺陷的正常衬底的参考图像之间的电压差；以及将所述初步缺陷检测灵敏度应用于所述电压差。 19.如权利要求17所述的方法，其中，获得所述初步图像包括：提供强度低于所述第一电子束的强度的初步电子束；以及使用所述初步电子束扫描所述衬底的整个区域，以便提供可见度低于第一图像的可见度的初步图像。 20.如权利要求17所述的方法，其中，检测所述第一缺陷包括：测量所述第一图像与没有缺陷的正常衬底的参考图像之间的电压差；以及将所述第一缺陷检测灵敏度应用于所述电压差。 21.如权利要求17所述的方法，其中，获得所述第二图像包括：提供强度高于所述第一电子束的强度的第二电子束；以及使用所述第二电子束来二次扫描所述衬底的所述第一剩余区域，以便提供可见度高于所述第一图像的可见度的第二图像。 22.如权利要求17所述的方法，其中，检测所述第二缺陷包括：测量所述第二图像与没有缺陷的正常衬底的参考图像之间的电压差；以及将所述第二缺陷检测灵敏度应用于所述电压差。 23.如权利要求17所述的方法，还包括：使用第三电子束来第三次扫描所述衬底的第二剩余区域，所述衬底的所述第二剩余区域是通过从所述第一剩余区域排除所述第二缺陷所位于的第二部分来定义的；获得第三图像；将第三缺陷检测灵敏度应用于所述第三图像，所述第三缺陷检测灵敏度高于所述第二缺陷检测灵敏度；以及检测第三缺陷。 24.如权利要求23所述的方法，其中，获得所述第三图像包括：提供强度高于所述第二电子束的强度的所述第三电子束；以及使用所述第三电子束来第三次扫描所述衬底的所述第二剩余区域，以便提供可见度高于第二图像的可见度的所述第三图像。 25.如权利要求23所述的方法，其中，检测所述第三缺陷包括：测量所述第三图像与没有缺陷的正常衬底的参考图像之间的电压差；以及将所述第三缺陷检测灵敏度应用于所述电压差。 26.如权利要求17所述的方法，其中，所述衬底包括半导体衬底或掩模衬底。 27.一种用于检测缺陷的设备，包括：扫描仪，其使用电子束来多次扫描衬底以检测缺陷；以及控制器，其将所述衬底的剩余区域设置为所述扫描仪中的扫描区域，所述衬底的所述剩余区域是通过从先前扫描的区域中排除所述缺陷所位于的部分来定义的。 28.如权利要求27所述的设备，其中，所述扫描仪包括：扫描器，其使用所述电子束来扫描所述衬底；检测器，其检测从由所述电子束扫描的所述衬底发射的二次电子；逻辑单元，其根据所述二次电子来获得图像；以及图像处理器，其处理所述图像以检测所述缺陷。 29.如权利要求28所述的设备，其中，所述控制器根据扫描次数向图像处理器提供逐渐增加的缺陷检测灵敏度。 30.如权利要求28所述的设备，其中，所述控制器根据扫描次数提供强度逐渐增加的电子束。 31.根据权利要求27所述的方法，其中，所述衬底包括半导体衬底或掩模衬底。 32.一种半导体器件，其包括应用了权利要求1的方法的半导体衬底。 33.一种使用掩模衬底制造的半导体器件，所述眼膜衬底应用了权利要求1的方法。 34.一种包括指令的非暂时性计算机可读介质，当所述指令被执行时使控制器控制以下各项操作：使用第一电子束来初步扫描衬底的区域；检测第一缺陷；使用第二电子束来二次扫描所述衬底的第一剩余区域；以及检测第二缺陷，其中，所述衬底的所述第一剩余区域是通过从所述衬底的所述区域排除所述第一缺陷所位于的第一部分来定义的。 35.如权利要求34所述的介质，其中，检测所述第一缺陷包括：使用第一电子束来初步扫描所述衬底的所述区域；获得第一图像；将第一缺陷检测灵敏度应用于所述第一图像；以及检测所述第一缺陷。 36.如权利要求35所述的介质，其中，检测所述第一缺陷包括：测量所述第一图像与不包括缺陷的正常衬底的参考图像之间的电压差；以及将所述第一缺陷检测灵敏度应用于所述电压差。 37.如权利要求35所述的介质，其中，检测所述第二缺陷包括：使用所述第二电子束来二次扫描所述衬底的所述第一剩余区域；获得第二图像；将第二缺陷检测灵敏度应用于所述第二图像；以及检测所述第二缺陷，其中，所述第二缺陷检测灵敏度高于所述第一缺陷检测灵敏度，并且其中，第二缺陷的大小小于所述第一缺陷的大小。 38.如权利要求37所述的介质，其中，获得所述第二图像包括：提供强度高于所述第一电子束的强度的所述第二电子束；以及使用所述第二电子束来二次扫描所述衬底的所述第一剩余区域，以便提供可见度高于所述第一图像的可见度的所述第二图像。
所属类别：	发明专利