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原文传递二维材料生长的定位观测方法

专利名称：	二维材料生长的定位观测方法
摘要：	本发明提供一种二维材料生长的定位观测方法，包括如下步骤：1)获取标记石墨烯；2)提供生长衬底，并将标记石墨烯转移到生长衬底的上表面；3)于生长衬底的上表面生长二维材料；4)以标记石墨烯为标记对二维材料进行定位观测。本发明的二维材料生长的定位观测方法可以实现对二维材料的生长情况进行精确地定位观测；本发明中使用原子力显微镜定位观测二维材料的生长情况，对二维材料层的生长条件没有严格的要求，操作简单易行，测试成本较低；在生长衬底的上表面进行二维材料的多次生长时，二维材料每次生长的生长条件可以不同，可以实现对二维材料在不同生长条件下于同一区域的生长情况进行定位观测。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人：	狄增峰;李攀林;王天波;薛忠营;张苗
专利状态：	有效
申请日期：	2019-02-21T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-14T00:00:00+0800
申请号：	CN201910129446.7
公开号：	CN109883950A
代理机构：	上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人：	余明伟
分类号：	G01N21/01(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	200050 上海市长宁区长宁路865号
主权项：	1.一种二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，所述二维材料生长的定位观测方法包括如下步骤： 1)获取标记石墨烯； 2)提供生长衬底，并将所述标记石墨烯转移到所述生长衬底的上表面； 3)于所述生长衬底的上表面生长二维材料； 4)以所述标记石墨烯为标记对所述二维材料进行定位观测。 2.根据权利要求1所述的二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，步骤1)中，采用机械剥离法从高定向热解石墨烯获取所述标记石墨烯。 3.根据权利要求1所述的二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，所述标记石墨烯包括多层石墨烯。 4.根据权利要求1所述的二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，所述生长衬底的材料包括单晶硅、多晶硅、锗、铜、镍或铂。 5.根据权利要求1所述的二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，步骤2)与步骤3)之间还包括对所述生长衬底进行退火处理的步骤。 6.根据权利要求5所述的二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，对所述生长衬底退火的方法包括真空退火或常压保护气氛下退火。 7.根据权利要求5所述的二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，对所述生长衬底退火处理后及步骤3)之前还包括对所述生长衬底进行清洗的步骤。 8.根据权利要求7所述的二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，对所述生长衬底进行清洗的方法包括将所述生长衬底分别置于丙酮和酒精中依次进行超声清洗。 9.根据权利要求8所述的二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，对所述生长衬底进行超声清洗的时间包括5～15分钟。 10.根据权利要求1所述的二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，所述二维材料包括石墨烯、氮化硼或过渡金属二硫属化物。 11.根据权利要求1所述的二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，步骤4)中，使用原子力显微镜于侧向力模式下对所述二维材料进行观测。 12.根据权利要求1所述的二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，步骤4)之后还包括重复步骤3)～步骤4)至少一次的步骤。 13.根据权利要求12所述的二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，多次观测过程中，对所述二维材料同一区域的生长情况进行观测。
所属类别：	发明专利