专利名称: |
一种测定钴基合金中硅、锰、钼、铁、钨含量的方法 |
摘要: |
本发明提供一种测定钴基合金中硅、锰、钼、铁、钨含量的方法,包括以下步骤:1)样品前处理:称取钴基合金样品,加入消解剂,进行微波消解后冷却,再加入饱和硼酸溶液进行密闭反应后,转移、定容,获得样品溶液;2)标准溶液的配制:选取基质溶液,加入待测元素,配成标准溶液;3)测定:分别将配制的标准溶液、样品溶液进行电感耦合等离子体原子发射光谱仪检测,采用标准曲线法进行定量,获得样品溶液中硅、锰、钼、铁、钨元素的含量。本发明提供的一种测定钴基合金中硅、锰、钼、铁、钨含量的方法,采用优选的消解试剂、优选条件的微波密闭消解法和ICP‑AES测定法,操作简单、精密度好、准确度高,具有较好的推广、应用价值。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
上海;31 |
申请人: |
上海电气电站设备有限公司 |
发明人: |
刘思思;李虹;史文斌;李晓晴 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2017-12-07T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-06-18T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201711287834.5 |
公开号: |
CN109900679A |
代理机构: |
上海光华专利事务所(普通合伙) |
代理人: |
许亦琳 |
分类号: |
G01N21/73(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
申请人地址: |
201108 上海市闵行区莘庄工业区金都路3669号3幢 |
主权项: |
1.一种测定钴基合金中硅、锰、钼、铁、钨含量的方法,包括以下步骤: 1)样品前处理:称取钴基合金样品,加入消解剂,进行微波消解后冷却,再加入饱和硼酸溶液进行密闭反应后,转移、定容,获得样品溶液; 2)标准溶液的配制:选取基质溶液,加入待测元素,配成标准溶液; 3)测定:分别将步骤2)配制的标准溶液、步骤1)中样品溶液进行电感耦合等离子体原子发射光谱仪检测,采用标准曲线法进行定量,获得样品溶液中硅、锰、钼、铁、钨元素的含量。 2.根据权利要求1所述的一种测定钴基合金中硅、锰、钼、铁、钨含量的方法,其特征在于,步骤1)中,所述消解剂为盐酸、硝酸、氢氟酸的混合溶液;所述盐酸、硝酸、氢氟酸的混合溶液中,所述盐酸、硝酸加入的体积之比为3:1~10:1,所述氢氟酸加入体积为≤2mL,所述盐酸、硝酸、氢氟酸的总体积为8~30mL。 3.根据权利要求1所述的一种测定钴基合金中硅、锰、钼、铁、钨含量的方法,其特征在于,步骤1)中,所述钴基合金样品加入的质量g与消解剂加入的体积mL之比为1:100~1:350。 4.根据权利要求1所述的一种测定钴基合金中硅、锰、钼、铁、钨含量的方法,其特征在于,步骤1)中,所述微波消解的升温程序为:起始温度为20~30℃,以10~15min的升温时间升至100~120℃,保持15~20min;再以10~15min的升温时间升至140~150℃,保持15~30min。 5.根据权利要求1所述的一种测定钴基合金中硅、锰、钼、铁、钨含量的方法,其特征在于,步骤1)中,所述饱和硼酸溶液为质量百分比浓度为4-6wt%的硼酸水溶液;所述饱和硼酸溶液与消解剂中氢氟酸加入的体积之比为4:1~10:1。 6.根据权利要求1所述的一种测定钴基合金中硅、锰、钼、铁、钨含量的方法,其特征在于,步骤1)中,所述密闭反应的时间为25-35min。 7.根据权利要求1所述的一种测定钴基合金中硅、锰、钼、铁、钨含量的方法,其特征在于,步骤2)中,所述基质溶液为盐酸、硝酸、铬储备液、钴储备液的混合溶液;所述基质溶液中,所述盐酸、硝酸、铬储备液、钴储备液加入的体积之比为3~10:1:1~3:1~1.5。 8.根据权利要求1所述的一种测定钴基合金中硅、锰、钼、铁、钨含量的方法,其特征在于,步骤2)中,所述标准溶液中,所述硅元素的浓度≤5.00wt%,所述锰元素的浓度为≤4.00wt%,所述钼元素的浓度≤8.00wt%,所述铁元素的浓度≤5.00wt%,所述钨元素的浓度≤8.00wt%。 9.根据权利要求1所述的一种测定钴基合金中硅、锰、钼、铁、钨含量的方法,其特征在于,步骤3)中,所述电感耦合等离子体原子发射光谱仪的仪器检测条件为: RF发射功率:950、1150、1350、1500或1600KW;冷却气:氩气;冷却气流量:10-20L/min;雾化气:氩气;雾化气流量:0.5-1.5L/min;辅助气:氩气;辅助气流量:0.1-2L/min;样品提升量:1-5mL/min;观测方式:垂直或水平;观测高度:5-15mm;冲洗时间:30-50s;短波积分时间:15-25s;长波积分时间:3-10s。 10.根据权利要求1所述的一种测定钴基合金中硅、锰、钼、铁、钨含量的方法,其特征在于,步骤3)中,所述电感耦合等离子体原子发射光谱仪的分析线波长为:硅:251.611、288.158nm;锰:257.610、259.373nm;钼:204.598、202.032nm;铁:259.940、238.204nm,钨:207.911、209.475nm。 |
所属类别: |
发明专利 |