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一种基于等离子体表面加工工艺的耐高温电容阵列传感器
| 专利名称： | 一种基于等离子体表面加工工艺的耐高温电容阵列传感器 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于等离子体表面加工工艺的耐高温电容阵列传感器，其特征在于主要包括四个部分：刚玉内管，其内部为被测场域，外壁或内壁表面固定耐高温电容阵列；电容阵列，利用等离子体喷涂技术将钴基合金粉末喷涂于刚玉内管的表面制成；信号屏蔽线，与电极数量相同，内层信号线的一端连接电容阵列，另一端连接测量电路，外层屏蔽线接地；电容阵列外部屏蔽，用于隔绝被测场域外围的环境变化等干扰。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 北京航空航天大学 |
| 发明人： | 孙江涛;胡蝶;徐立军;孙世杰 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-02-27T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-06-18T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910143646.8 |
| 公开号： | CN109900753A |
| 分类号： | G01N27/22(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 100191 北京市海淀区学院路37号 |
| 主权项： | 1.一种基于等离子体表面加工工艺的耐高温电容阵列传感器，其特征在于主要包括四个部分：刚玉内管，其内部为被测场域，外壁或内壁表面固定耐高温电容阵列；电容阵列，利用等离子体喷涂技术将钴基合金粉末喷涂于刚玉内管的表面制成；信号屏蔽线，与电极数量相同，内层信号线的一端连接电容阵列，另一端连接测量电路，外层屏蔽线接地；电容阵列外部屏蔽，用于隔绝被测场域外围的环境变化等干扰。 2.根据权利要求1所述的一种基于等离子体表面加工工艺的耐高温电容阵列传感器，其特征在于还包括：耐高温胶布，作为喷涂过程中的蒙版，使电极之间互相绝缘；耐高温导电固化胶，用于屏蔽线和电容阵列之间的电气连接；玻璃外管，用于隔离电容阵列和外部接地屏蔽层，固定屏蔽线。 3.根据权利要求1所述的一种基于等离子体表面加工工艺的耐高温电容阵列传感器，其特征在于：电容阵列包括测量电极和屏蔽电极，测量电极沿内管轴向分为N组，每组均匀分布M个金属电极，N组电极中间及两端设置总共N+1个轴向屏蔽电极并接地。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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