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原文传递一种基于等离子体合成射流的鼓包进气道以及边界层控制方法

专利名称：	一种基于等离子体合成射流的鼓包进气道以及边界层控制方法
摘要：	本发明公开了一种基于等离子体合成射流的鼓包进气道以及边界层控制方法。该鼓包进气道通过利用射流激励器产生的高速射流的动量效应向鼓包诱导的激波/边界层干扰区间内积聚的低能流补充能量促使其再附，同时射流带动鼓包前缘的低能流向鼓包两侧排移进而增强鼓包进气道的排移边界层能力，实现了对鼓包进气道的主动控制。激励器布置在鼓包下方或布置在机体下方，射流出口方向沿鼓包型线，或沿激励器出口型线。本发明解决传统鼓包进气道主动控制方法射流速度低、控制力不强、且需要额外气源的问题，为此类进气道的高效、宽包线工作提供通用、无源的主动流动控制方法。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	南京航空航天大学
发明人：	张悦;高婉宁;谭慧俊;王超;陈亮;马志明
专利状态：	有效
申请日期：	2019-04-10T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-18T00:00:00+0800
申请号：	CN201910284481.6
公开号：	CN109896027A
代理机构：	南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人：	张弛
分类号：	B64D33/02(2006.01);B;B64;B64D;B64D33
申请人地址：	210000 江苏省南京市秦淮区御道街29号
主权项：	1.一种基于等离子体合成射流的鼓包进气道，包括内通道表面、唇罩、鼓包型面、机体平面；所述唇罩位于内通道表面外侧，且唇罩与内通道表面形成进气道的内通道；所述鼓包型面作为连接内通道表面与机体平面之间的连接面，且鼓包型面相对于机体平面向外形成鼓包；其特征在于，还设置有至少一个射流激励器，所述射流激励器布置在鼓包型面下方和机体平面下方；射流激励器布置在鼓包型面下方，则射流激励器的射流出口布置在鼓包表面和/或鼓包型面前缘；若射流出口布置在鼓包表面，射流出口方向沿鼓包型线设置；若射流出口布置在鼓包型面前缘，射流方向沿激励器出口型线设置；射流激励器布置在机体平面下方，则射流激励器应布置于鼓包诱导的曲面激波/边界层干扰区间内，射流激励器的射流出口布置于机体平面上，射流出口方向沿射流激励器出口型线方向设置。 2.根据权利要求1所述的鼓包进气道，其特征在于：射流激励器布置方向与超声速来流方向夹角为0～90°。 3.根据权利要求1所述的鼓包进气道，其特征在于：所述射流激励器为两电极水平式等离子体合成射流激励器。 4.根据权利要求1所述的鼓包进气道，其特征在于：射流激励器展向位置不超过唇罩边缘。 5.一种基于等离子体合成射流的鼓包进气道，包括内通道表面、唇罩、鼓包型面、机体平面；所述唇罩位于内通道表面外侧，且唇罩与内通道表面形成进气道的内通道；所述鼓包型面作为连接内通道表面与机体平面之间的连接面，且鼓包型面相对于机体平面向外形成鼓包；其特征在于，还设置有至少一个射流激励器，所述射流激励器布置在鼓包型面下方或机体平面下方；若射流激励器布置在鼓包型面下方，则射流激励器的射流出口布置在鼓包表面和/或鼓包型面前缘；若射流出口布置在鼓包表面，射流出口方向沿鼓包型线设置，且射流激励器展向位置不超过唇罩边缘；若射流出口布置在鼓包型面前缘，射流方向沿激励器出口型线设置，且射流激励器展向位置不超过唇罩边缘；若射流激励器布置在机体平面下方，则射流激励器应布置于鼓包诱导的曲面激波/边界层干扰区间内，射流激励器的射流出口布置于机体平面上，射流出口方向沿射流激励器出口型线方向设置，且射流激励器展向位置不超过唇罩边缘。 6.根据权利要求5所述的鼓包进气道，其特征在于：所述射流激励器为两电极水平式射流激励器；射流激励器展向位置不超过唇罩边缘。 7.一种使用根据权利要求1至6中任一项所述鼓包进气道的边界层控制方法，其特征在于，包括以下步骤： (1)根据鼓包进气道流场布置射流激励器位置及角度； (2)当进气道在设计马赫数工作时，接通射流激励器，激励器腔体内气体膨胀并喷出高速射流进而对对鼓包诱导激波边界层干扰区间内注入动量； (3)高速射流对鼓包前缘低能流施加流向以及展向的扰动，使低能流向鼓包两侧排移。
所属类别：	发明专利