专利名称: |
一种基于新型合成双射流激励器的超声速边界层转捩控制方法 |
摘要: |
本发明提供一种基于新型合成双射流激励器的超声速边界层转捩控制方法,在超声速飞行器表面或者进气道等需控制边界层转捩的区域安装新型合成双射流激励器,在超声速飞行器飞行过程中,开启新型合成双射流激励器,新型合成双射流激励器产生的扰动波和射流涡能够对边界层内产生扰动,其中扰动波能够修正边界层,射流涡能够抑制边界层中的发卡涡涡头的上抛运动和流向涡的上喷下扫运动,从而有效实现对超声速边界层转捩的“波控”与“涡控”,从而实现对边界层转捩的主动控制。本发明形成射流的扰动波与涡量同时作用于边界层,提高了合成射流对超声速边界层流动的控制能力,可实现低动量合成射流对超声速边界层转捩的有效控制。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
湖南;43 |
申请人: |
中国人民解放军国防科技大学 |
发明人: |
罗振兵;刘强;王林;夏智勋;邓雄;何伟 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-03-21T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-05-17T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910218163.X |
公开号: |
CN109760818A |
代理机构: |
长沙国科天河知识产权代理有限公司 |
代理人: |
董惠文 |
分类号: |
B64C1/00(2006.01);B;B64;B64C;B64C1 |
申请人地址: |
410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号 |
主权项: |
1.一种基于新型合成双射流激励器的超声速边界层转捩控制方法,其特征在于:在超声速飞行器表面或者进气道等需控制边界层转捩的区域安装新型合成双射流激励器,在超声速飞行器飞行过程中,开启新型合成双射流激励器,新型合成双射流激励器产生的扰动波和射流涡能够对边界层内产生扰动,与边界层内原有的扰动相互作用,抑制或促进扰动波的发展,从而实现对边界层转捩的主动控制。 2.根据权利要求1所述的基于新型合成双射流激励器的超声速边界层转捩控制方法,其特征在于:新型合成双射流激励器工作时喷出的双射流所形成的扰动波和射流涡同时作用于边界层,其中扰动波能够修正边界层,射流涡能够抑制边界层中的发卡涡涡头的上抛运动和流向涡的上喷下扫运动,从而有效实现对超声速边界层转捩的“波控”与“涡控”。 3.根据权利要求1所述的基于新型合成双射流激励器的超声速边界层转捩控制方法,其特征在于:所述新型合成双射流激励器包括左壳体、右壳体、射流出口盖板以及中间振动膜片,所述左壳体、右壳体、射流出口盖板组合成一个完整的密封壳体,所述左壳体和右壳体的内侧均开设有凹腔,左壳体内侧的凹腔和右壳体内侧的凹腔分设在中间振动膜片的左右两侧,中间振动膜片将左壳体、右壳体上的凹腔分隔成两个独立的腔体,即左腔体和右腔体;所述射流出口盖板上开设有左射流出口通道和右射流出口通道;所述左腔体与左射流出口通道联通,左腔体通过左射流出口通道与外界环境联通,右腔体与右射流出口通道联通,右腔体通过右射流出口通道与外界环境联通,其中所述中间振动膜片为压电陶瓷片,其振动是采用压电驱动方式。 4.根据权利要求3所述的基于新型合成双射流激励器的超声速边界层转捩控制方法,其特征在于:在新型合成双射流激励器的射流出口盖板上设置粗糙元。 5.根据权利要求4所述的基于新型合成双射流激励器的超声速边界层转捩控制方法,其特征在于:不同高度尺寸的粗糙元将会使双射流所形成的扰动波具有不同的波长,通过设计不同高度尺寸的粗糙元从而产生不同波长的扰动波进而实现对扰动波波长的控制,通过对新型合成双射流激励器其输入信号的控制实现对涡量的控制。 6.根据权利要求1所述的基于新型合成双射流激励器的超声速边界层转捩控制方法,其特征在于:在超声速飞行器表面或者进气道等需控制边界层转捩的区域安装布设多个新型合成双射流激励器。 7.根据权利要求6所述的基于新型合成双射流激励器的超声速边界层转捩控制方法,其特征在于:多个新型合成双射流激励器呈阵列分布,根据需求开启不同位置的激励器,实现对超声速边界层流动的有效时序控制。 |
所属类别: |
发明专利 |