专利名称: |
一种用于材料高温介电性能测试的谐振腔测试装置 |
摘要: |
一种用于材料高温介电性能测试的谐振腔测试装置,包括:侧壁开有耦合孔的谐振腔;连接于所述谐振腔的侧壁并使微波信号导入或导出的波导管;载置有样品并能推入所述谐振腔内的活塞;所述谐振腔的所述耦合孔与所述波导管的内腔贯通;所述谐振腔、所述波导管、所述活塞的材料均为耐测试温度的陶瓷材料或复相陶瓷材料或陶瓷基复合材料;所述谐振腔的内壁、所述波导管的内壁及所述活塞的表面均覆盖有导电金属层。本发明实现有氧环境和更高温度下的材料高温电磁性能测试。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
上海;31 |
申请人: |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人: |
曾宇平;尹金伟;左开慧;夏咏锋;姚冬旭;梁汉琴 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-03-28T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-06-21T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910243532.0 |
公开号: |
CN109916967A |
代理机构: |
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) |
代理人: |
曹芳玲;姚佳雯 |
分类号: |
G01N27/22(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
申请人地址: |
200050 上海市长宁区定西路1295号 |
主权项: |
1.一种用于材料高温介电性能测试的谐振腔测试装置,其特征在于,包括: 侧壁开有耦合孔的谐振腔; 连接于所述谐振腔的侧壁并使微波信号导入或导出的波导管; 载置有样品并能推入所述谐振腔内的活塞; 所述谐振腔的所述耦合孔与所述波导管的内腔贯通; 所述谐振腔、所述波导管、所述活塞的材料均为耐测试温度的陶瓷材料或复相陶瓷材料或陶瓷基复合材料; 所述谐振腔的内壁、所述波导管的内壁及所述活塞的表面均覆盖有导电金属层。 2.根据权利要求1所述的一种用于材料高温介电性能测试的谐振腔测试装置,其特征在于:所述谐振腔由碳化硅、硼化锆、硼化铪、硼化锆-碳化硅、硼化铪-碳化硅、碳化锆-碳化硅、碳化硅纤维增强碳化硅、碳纤维增强碳化硅中任一项制成。 3.根据权利要求1所述的一种用于材料高温介电性能测试的谐振腔测试装置,其特征在于:所述波导管由碳化硅、硼化锆、硼化铪、硼化锆-碳化硅、硼化铪-碳化硅、碳化锆-碳化硅、碳化硅纤维增强碳化硅、碳纤维增强碳化硅中任一项制成。 4.根据权利要求1所述的一种用于材料高温介电性能测试的谐振腔测试装置,其特征在于:所述活塞由碳化硅、硼化锆、硼化铪,硼化锆-碳化硅、硼化铪-碳化硅、碳化锆-碳化硅、碳化硅纤维增强碳化硅、碳纤维增强碳化硅中任一项制成。 5.根据权利要求1所述的一种用于材料高温介电性能测试的谐振腔测试装置,其特征在于:所述谐振腔与所述波导管通过螺钉连接,所述螺钉由陶瓷材料、复相陶瓷材料、陶瓷基复合材料中任一项制成。 6.根据权利要求1所述的一种用于材料高温介电性能测试的谐振腔测试装置,其特征在于:所述导电金属层为铜、银、金、铂、铱、或铂铑合金。 7.根据权利要求1所述的一种用于材料高温介电性能测试的谐振腔测试装置,其特征在于:所述导电金属层的厚度大于1μm,表面电阻小于0.1欧姆。 |
所属类别: |
发明专利 |