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一种单片集成的MEMS气体传感器
| 专利名称： | 一种单片集成的MEMS气体传感器 |
| 摘要： | 本发明涉及一种单片集成的MEMS气体传感器，通过在一个衬底上集成多种气体传感器，可以根据需要同时或者不同时检测各种气体，从而能有效降低生产成本及使用成本，包括衬底、位于衬底上的碳化硅层，所述碳化硅层上表面涂有二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜上表面设有绝缘层，所述绝缘层上表面设有气体敏感层，所述气体敏感层与所述绝缘层之间设有加热电极，所述气体敏感层为两个以上，所述气体敏感层与加热电极之间设有热敏层，所述衬底、碳化硅层、二氧化硅薄膜、绝缘层、加热电极、热敏层及气体敏感层之间分别通过粘结层相连接，所述气体敏感层上表面涂有气敏型金属氧化物薄膜，所述每个气体敏感层上的气敏型金属氧化物薄膜材质不同或相同。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 山东;37 |
| 申请人： | 烟台博昊信息科技有限公司 |
| 发明人： | 孙书敏 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2017-12-29T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-07-09T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201711467787.2 |
| 公开号： | CN109991280A |
| 分类号： | G01N27/00(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 264006 山东省烟台市经济技术开发区万寿山路5号内1号楼 |
| 主权项： | 1.一种单片集成的MEMS气体传感器，其特征在于：包括衬底、位于衬底上的碳化硅层，所述碳化硅层上表面涂有二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜上表面设有绝缘层，所述绝缘层上表面设有气体敏感层，所述气体敏感层为两个以上，所述每个气体敏感层与所述绝缘层之间设有加热电极，所述气体敏感层与加热电极之间设有热敏层，所述衬底、碳化硅层、二氧化硅薄膜、绝缘层、加热电极、热敏层及气体敏感层之间分别通过粘结层相连接，所述气体敏感层上表面涂有气敏型金属氧化物薄膜，所述每个气体敏感层上的气敏型金属氧化物薄膜材质不同或相同。 2.根据权利要求1所述的一种单片集成的MEMS气体传感器，其特征在于：所述衬底下表面刻蚀有隔热腔，所述隔热腔的边沿凸起表面涂有二氧化硅薄膜。 3.根据权利要求1所述的一种单片集成的MEMS气体传感器，其特征在于：所述碳化硅层上设有垂直贯通的通孔。 4.根据权利要求1所述的一种单片集成的MEMS气体传感器，其特征在于：所述气体敏感层材料为二氧化锡或三氧化钨。 5.根据权利要求1所述的一种单片集成的MEMS气体传感器，其特征在于：所述粘结层为Cr金属薄膜或Ti/Cr合金薄膜。 6.根据权利要求1所述的一种单片集成的MEMS气体传感器，其特征在于：所述热敏层为P-N poly或Al poly。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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