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原文传递 MEMS气体传感器和提高MEMS气体传感器稳定性的方法

专利名称：	MEMS气体传感器和提高MEMS气体传感器稳定性的方法
摘要：	本申请涉及一种MEMS气体传感器、提高MEMS气体传感器稳定性的方法和装置，属于传感器技术领域，所述MEMS气体传感器包括：基于N型掺杂半导体材料的敏感单元和基于P型掺杂半导体材料的敏感单元中的至少一种，以及，基于P型本征半导体材料的敏感单元；所述基于N型掺杂半导体材料的敏感单元用于检测氧化性气体；所述基于P型掺杂半导体材料的敏感单元用于检测还原性气体；所述基于P型本征半导体材料的敏感单元的电气特性稳定，用于修正所述基于N型掺杂半导体材料的敏感单元和/或所述基于P型掺杂半导体材料的敏感单元的电性漂移。有效提高长期稳定性，延长传感器的使用寿命。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	北京机械设备研究所
发明人：	刘宇航;刘秀洁;许诺;汪晓军
专利状态：	有效
申请日期：	2019-07-12T00:00:00+0800
发布日期：	2019-10-22T00:00:00+0800
申请号：	CN201910630446.5
公开号：	CN110361423A
代理机构：	北京云科知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：	张飙
分类号：	G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	100854 北京市海淀区永定路50号(北京市142信箱208分箱)
主权项：	1.一种MEMS气体传感器，其特征在于，所述MEMS气体传感器包括：基于N型掺杂半导体材料的敏感单元和基于P型掺杂半导体材料的敏感单元中的至少一种，以及，基于P型本征半导体材料的敏感单元；所述基于N型掺杂半导体材料的敏感单元用于检测氧化性气体；所述基于P型掺杂半导体材料的敏感单元用于检测还原性气体；所述基于P型本征半导体材料的敏感单元的电气特性稳定，用于修正所述基于N型掺杂半导体材料的敏感单元和/或所述基于P型掺杂半导体材料的敏感单元的电性漂移。 2.根据权利要求1所述的MEMS气体传感器，其特征在于，所述基于N型掺杂半导体材料的敏感单元有至少两个。 3.根据权利要求1所述的MEMS气体传感器，其特征在于，所述基于P型掺杂半导体材料的敏感单元有至少两个。 4.根据权利要求1所述的MEMS气体传感器，其特征在于，所述基于P型本征半导体材料的敏感单元有至少两个。 5.根据权利要求1至4任一所述的MEMS气体传感器，其特征在于，所述MEMS气体传感器还包括配套功能单元，所述配套功能单元包括电路单元。 6.一种提高MEMS气体传感器稳定性的方法，其特征在于，所述MEMS气体传感器如权利要求1至5任一所述，所述方法包括：封装包括基于N型掺杂半导体材料的敏感单元和基于P型掺杂半导体材料的敏感单元中的至少一种，以及，基于P型本征半导体材料的敏感单元的所述MEMS气体传感器。 7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述MEMS气体传感器仅需检测氧化性气体时，所述封装包括基于N型掺杂半导体材料的敏感单元和基于P型掺杂半导体材料的敏感单元中的至少一种，以及，基于P型本征半导体材料的敏感单元的所述MEMS气体传感器，包括：封装包括所述基于N型掺杂半导体材料的敏感单元和所述基于P型本征半导体材料的敏感单元的所述MEMS气体传感器。 8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述MEMS气体传感器仅需检测还原性气体时，所述封装包括基于N型掺杂半导体材料的敏感单元和基于P型掺杂半导体材料的敏感单元中的至少一种，以及，基于P型本征半导体材料的敏感单元的所述MEMS气体传感器，包括：封装包括所述基于P型掺杂半导体材料的敏感单元和所述基于P型本征半导体材料的敏感单元的所述MEMS气体传感器。 9.一种提高MEMS气体传感器稳定性的装置，其特征在于，所述装置包括存储器和处理器，所述存储器中存储有至少一条程序指令，所述处理器通过加载并执行上述指令以实现如权利要求6至8任一所述的方法。
所属类别：	发明专利