专利名称: |
电机控制装置 |
摘要: |
本实用新型电机控制装置,包括:上下电逻辑电路;防反滤波电路与上下电逻辑电路电连接;上下电逻辑电路包括:MOS管Q1的源极与防反滤波电路电连接,MOS管Q1的漏极与后续电路电连接;电阻R2的一端与MOS管Q1的栅极电连接;电阻R1的一端与MOS管Q1的源极电连接,电阻R1的另一端与电阻R2的一端电连接;三极管Q2的集电极与电阻R2的另一端电连接,三极管Q2的发射极接地;电阻R3的一端与三极管Q2的基极电连接;电阻R4的一端与电阻R3的一端电连接,电阻R4的另一端接地。与现有技术相比,本实用新型具有如下的有益效果:上电时,只有当电瓶供电和钥匙信号同时满足时控制器才开始工作;下电时,控制器不会立马休眠,只有在确保足够安全的情况下才会自我休眠。 |
专利类型: |
实用新型 |
国家地区组织代码: |
江苏;32 |
申请人: |
江苏力信电气技术有限公司 |
发明人: |
鲁克银;杨超 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2018-11-01T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-07-19T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201821792507.5 |
公开号: |
CN209126538U |
代理机构: |
上海段和段律师事务所 |
代理人: |
李佳俊;郭国中 |
分类号: |
B60L15/00(2006.01);B;B60;B60L;B60L15 |
申请人地址: |
江苏省镇江市丹徒区长香东大道78号 |
主权项: |
1.一种电机控制装置,其特征在于,包括: 上下电逻辑电路; 防反滤波电路,所述防反滤波电路与所述上下电逻辑电路电连接;其中 所述上下电逻辑电路包括: MOS管Q1,所述MOS管Q1的源极与所述防反滤波电路电连接,所述MOS管Q1的漏极与后续电路电连接; 电阻R2,所述电阻R2的一端与所述MOS管Q1的栅极电连接; 电阻R1,所述电阻R1的一端与所述MOS管Q1的源极电连接,所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端电连接; 三极管Q2,所述三极管Q2的集电极与所述电阻R2的另一端电连接,所述三极管Q2的发射极接地; 电阻R3,所述电阻R3的一端与所述三极管Q2的基极电连接; 电阻R4,所述电阻R4的一端与所述电阻R3的一端电连接,所述电阻R4的另一端接地。 2.根据权利要求1所述的电机控制装置,其特征在于,所述防反滤波电路包括: MOS管Q3,所述MOS管Q3的源极接收输入的电平电压; 电感组件L1,所述电感组件L1的第一端口与所述MOS管Q3的漏极电连接,所述电感组件L1的第四端口与所述MOS管Q1的源极电连接,所述电感组件L1的第二端口及第三端口接地; 电阻R5,所述电阻R5的一端与所述MOS管Q3的栅极电连接,所述电阻R5的另一端接地; 二极管D1,所述二极管D1的正极与所述电阻R5的一端电连接,所述二极管D1的负极与所述MOS管Q3的漏极电连接; 二极管D2,所述二极管D2的正极接地,所述二极管D2的负极与所述MOS管Q3的漏极电连接。 3.根据权利要求2所述的电机控制装置,其特征在于,所述二极管D1为稳压二极管。 4.根据权利要求2所述的电机控制装置,其特征在于,所述二极管D2为TVS二极管。 5.根据权利要求2所述的电机控制装置,其特征在于,所述电阻R3的另一端通过二极管D3接收输入的点火电压,所述二极管D3的负极与所述电阻R3的另一端电连接。 6.根据权利要求2所述的电机控制装置,其特征在于,所述电阻R3的另一端通过二极管D4接收输入的MCU控制信号,所述二极管D4的负极与所述电阻R3的另一端电连接。 7.一种电机控制装置,其特征在于,包括: 上下电逻辑电路; 防反滤波电路,所述防反滤波电路与所述上下电逻辑电路电连接;其中 所述上下电逻辑电路包括: MOS管Q1,所述MOS管Q1的源极与所述防反滤波电路电连接,所述MOS管Q1的漏极与后续电路电连接; 电阻R2,所述电阻R2的一端与所述MOS管Q1的栅极电连接; 电阻R1,所述电阻R1的一端与所述MOS管Q1的源极电连接,所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端电连接; 三极管Q2,所述三极管Q2的集电极与所述电阻R2的另一端电连接,所述三极管Q2的发射极接地; 电阻R3,所述电阻R3的一端与所述三极管Q2的基极电连接; 电阻R4,所述电阻R4的一端与所述电阻R3的一端电连接,所述电阻R4的另一端接地; 所述防反滤波电路包括: MOS管Q3,所述MOS管Q3的源极接收输入的电平电压; 电感组件L1,所述电感组件L1的第一端口与所述MOS管Q3的漏极电连接,所述电感组件L1的第四端口与所述MOS管Q1的源极电连接,所述电感组件L1的第二端口及第三端口接地; 电阻R5,所述电阻R5的一端与所述MOS管Q3的栅极电连接,所述电阻R5的另一端接地; 二极管D1,所述二极管D1的正极与所述电阻R5的一端电连接,所述二极管D1的负极与所述MOS管Q3的漏极电连接; 二极管D2,所述二极管D2的正极接地,所述二极管D2的负极与所述MOS管Q3的漏极电连接; 所述二极管D1为稳压二极管; 所述二极管D2为TVS二极管; 所述电阻R3的另一端通过二极管D3接收输入的点火电压,所述二极管D3的负极与所述电阻R3的另一端电连接; 所述电阻R3的另一端通过二极管D4接收输入的MCU控制信号,所述二极管D4的负极与所述电阻R3的另一端电连接。 |
所属类别: |
实用新型 |