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用于半导体器件的空运的中子屏蔽包装体
| 专利名称： | 用于半导体器件的空运的中子屏蔽包装体 |
| 摘要： | 本发明公开了一种被配置为包装半导体器件的中子屏蔽包装体。中子屏蔽包装体通过在半导体器件的空运期间与中子碰撞来减少在半导体器件中引起的电离总剂量TID缺陷。中子屏蔽包装体包括氢和硼。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 韩国;KR |
| 申请人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 发明人： | 李建泳;林相俊;金欢喜;金炫佑;文再梵;李相佶 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-01-15T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-07-26T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910035377.3 |
| 公开号： | CN110053844A |
| 代理机构： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) |
| 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 分类号： | B65D5/48(2006.01);B;B65;B65D;B65D5 |
| 申请人地址： | 韩国京畿道 |
| 主权项： | 1.一种用于半导体器件的空运的中子屏蔽包装体，所述中子屏蔽包装体被形成为包括氢和硼。 2.根据权利要求1所述的中子屏蔽包装体，其中，所述包装体包括添加硼的聚乙烯、添加硼的聚丙烯和硼氢化镁Mg(BH4)2中的至少一种。 3.根据权利要求2所述的中子屏蔽包装体，其中，所述包装体被形成为包括具有顶盖的外盒，并且其中，所述包装体具有在3毫米与6毫米之间的厚度。 4.根据权利要求2所述的中子屏蔽包装体，其中，所述包装体被形成为包括外壁和设置在所述外壁的内部的至少一个隔板，其中所述至少一个隔板将所述外壁的内部划分成多个区域。 5.根据权利要求4所述的中子屏蔽包装体，其中，所述外壁具有在5毫米与7毫米之间的厚度，并且其中，所述至少一个隔板具有在2毫米与4毫米之间的厚度。 6.根据权利要求5所述的中子屏蔽包装体，其中，所述外壁具有约6毫米的厚度，并且其中，所述至少一个隔板具有约3毫米的厚度。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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