专利名称: |
用于半导体器件生产环境评估的取样装置 |
摘要: |
本实用新型公开了一种用于半导体器件生产环境评估的取样装置,包括:腔室,其具有开口和用于盖住所述开口的封盖,所述腔室用于放置待进入所述半导体器件生产环境的样品,所述样品释放多种污染气体;进气管和出气管,分别设置于所述腔室的两侧,所述进气管通入高纯度气体到所述腔室中,所述出气管取样所述腔室中的气体混合物;进气阀,设置于所述进气管中,用于控制所述高纯度气体的通入量;出气阀,设置于所述出气管中,用于控制所述气体混合物的取样量。 |
专利类型: |
实用新型专利 |
国家地区组织代码: |
上海;31 |
申请人: |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司 |
发明人: |
刘克斌;谢渊;方明海;吴静銮;张士仁 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2010-05-21T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201020201086.1 |
公开号: |
CN201732021U |
代理机构: |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人: |
屈蘅;李时云 |
分类号: |
G01N1/22(2006.01)I |
申请人地址: |
201203 上海市张江路18号 |
主权项: |
一种用于半导体器件生产环境评估的取样装置,其特征在于,包括:腔室,其具有开口和用于盖住所述开口的封盖,所述腔室用于放置待进入所述半导体器件生产环境的样品,所述样品释放多种污染气体;进气管和出气管,分别设置于所述腔室的两侧,所述进气管通入高纯度气体到所述腔室中,所述出气管取样所述腔室中的气体混合物;进气阀,设置于所述进气管中,用于控制所述高纯度气体的通入量;出气阀,设置于所述出气管中,用于控制所述气体混合物的取样量。 |
所属类别: |
实用新型 |