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原文传递一种晶体加工工艺

专利名称：	一种晶体加工工艺
摘要：	本发明涉及一种晶体加工工艺，为了解决现有工艺200KG及以上重量的晶体在掏棒时掏棒刀具长度过长，掏棒过程中刀具偏摆造成晶体开裂、晶棒角度异常和刀具易变形问题，本发明设计一种加工工艺：将晶体沿平行于所需掏棒面的方向切成至少两部分，对切开的各部分晶体定向、晶体掏棒、晶棒切头尾、滚外圆、开平边、缺陷检验和切割成晶圆，避免刀具长度过长，降低晶体开裂和晶棒角度异常的比例，提升加工良率，减缓刀具的消耗速度，降低晶体加工成本。
专利类型：	发明专利
申请人：	福建晶安光电有限公司
发明人：	余剑云;刘聚斌;陈星火
专利状态：	有效
申请日期：	1900-01-20T06:00:00+0805
发布日期：	1900-01-20T00:00:00+0805
申请号：	CN202010009769.5
公开号：	CN111070449A
分类号：	B28D5/00;B28D5/02;B24B5/04;B24B5/22;B;B28;B24;B28D;B24B;B28D5;B24B5;B28D5/00;B28D5/02;B24B5/04;B24B5/22
申请人地址：	362411 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
主权项：	1.一种晶体加工工艺，其特征在于包括如下步骤：提供生长完成的晶体；晶体剖开：晶体沿平行于掏棒面方向，将晶体切成至少两部分；晶体定向，晶体掏棒获得晶棒。 2.根据权利要求1所述的一种晶体加工工艺，其特征在于：其中所述的晶体的重量为200KG及以上。 3.根据权利要求1所述的一种晶体加工工艺，其特征在于：所述的晶体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物、氧化物,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体，还包括非晶态的玻璃半导体或有机半导体。 4.根据权利要求1所述的一种晶体加工工艺，其特征在于：所述的晶体具体包括蓝宝石、砷化镓、磷化镓、硫化镉、硫化锌；或者锰、铬、铁、铜其中之一的氧化物；或者镓铝砷、镓砷磷。 5.根据权利要求1所述的一种晶体加工工艺，其特征在于：所述的晶体剖开是对长晶工艺获得的晶体进行剖开。 6.根据权利要求1所述的一种晶体加工工艺，其特征在于：晶体加工在晶体掏棒后的加工工艺还包括：晶棒切头尾、晶棒滚外圆、晶棒开平边、晶棒缺陷检验和晶棒切割。 7.根据权利要求1所述的一种晶体加工工艺，其特征在于：晶体定向：利用定向仪找到晶体掏棒面的方向。 8.根据权利要求1所述的一种晶体加工工艺，其特征在于：晶体掏棒：利用掏棒机及高速旋转的掏棒刀具沿着晶体掏棒面的方向对剖开后的晶体各部分进行掏棒。 9.根据权利要求6所述的一种晶体加工工艺，其特征在于：将晶棒缺陷检验完成的晶棒利用线切机台切割成多片晶圆。 10.根据权利要求8所述的一种晶体加工工艺，其特征在于：晶体掏棒时高速旋转的刀具切割晶体时的进给速度为0.01~10mm/min。 11.根据权利要求4所述的一种晶体加工工艺，其特征在于：当所述的晶体为蓝宝石时，晶体沿平行于掏棒面方向剖开，掏棒面是蓝宝石的C面，角度偏差范围在±1°以内。 12.根据权利要求8所述的一种晶体加工工艺，其特征在于，所述的晶体重量越大，晶体沿着掏棒方向的最大厚度增加，掏棒刀具的长度越长，所述晶体被剖开后，掏棒刀具的长度应小于等于300mm。
所属类别：	发明专利