详情

原文传递一种双晶体管硅片切割工艺

专利名称：	一种双晶体管硅片切割工艺
摘要：	本发明属于多晶硅片生产技术领域，具体的说是一种双晶体管硅片切割工艺，包括如下步骤：选择纯度好的工业硅；将选好的工业硅进行水平区熔单向凝固成硅锭；去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭；去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；在电子束溶解炉中去除磷和碳杂质，生成多晶硅；利用双晶体管硅片切割器将生产的多晶硅切片形成多晶硅片。本发明提出了一种双晶体管硅片切割工艺，本发明主要用于对硅片进行定量切割，切割均匀，实现流水线化生产，减轻工作人员的工作量，提高了工作效率。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	四川;51
申请人：	顾雨彤
发明人：	顾雨彤;何显文
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201810532975.7
公开号：	CN108582537A
分类号：	B28D5/04(2006.01)I;B28D7/04(2006.01)I;B;B28;B28D;B28D5;B28D7;B28D5/04;B28D7/04
申请人地址：	610599 四川省成都市新都区新都大道8号西南石油大学
主权项：	1.一种双晶体管硅片切割工艺，其特征在于：包括如下步骤：步骤一：选料，选择纯度好的工业硅；步骤二：步骤一中的工业硅选择好后，将选好的工业硅进行水平区熔单向凝固成硅锭；步骤三：步骤二中的硅锭凝固后，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；步骤四：步骤三中的硅锭去除杂质后，进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭；步骤五：步骤四中的二次凝固后，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；步骤六：步骤五中的硅锭二次去杂，在电子束溶解炉中去除磷和碳杂质，生成多晶硅；步骤七：步骤六中的多晶硅生产后，利用双晶体管硅片切割器将生产的多晶硅切片形成多晶硅片；所述步骤七中的双晶体管硅片切割器包括固定架(1)、凸轮(2)、电机一(3)、皮带轮一(4)、皮带(5)、导向杆(6)、升降杆(7)、弹簧一(8)、切割模块(9)、压片模块(10)和推送模块(11)，所述的电机一(3)通过支杆安装在固定架(1)上；所述的皮带轮一(4)安装在电机一(3)的电机轴上；所述的皮带(5)套在皮带轮一(4)上；所述的凸轮(2)安装在电机一(3)的电机轴上，凸轮(2)上安装有一圈电磁铁一；所述的导向杆(6)安装在固定架(1)上，导向杆(6)上开设有方孔；所述的升降杆(7)穿过导向杆(6)的方孔，升降杆(7)位于凸轮(2)的下方，升降杆(7)中间开设有长方形凹槽，升降杆(7)的上端设有电磁铁二，电磁铁一和电磁铁二通电时磁极相反；所述的弹簧一(8)的一端固定在升降杆(7)上，弹簧一(8)的另一端固定在导向杆(6)上；所述的切割模块(9)安装在升降杆(7)的下端，切割模块(9)用于对硅片进行切割；所述的压片模块(10)位于升降杆(7)的长方形凹槽中，压片模块(10)用于切割模块(9)工作时对硅片进行压紧；所述的推送模块(11)位于固定架(1)上，推送模块(11)用于推送硅片到切割模块(9)的正下方。
所属类别：	发明专利