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原文传递一种硅片切割裂片工艺

专利名称：	一种硅片切割裂片工艺
摘要：	本发明提供一种硅片切割裂片工艺，包括如下步骤：测试：利用测试装置测试硅片的电学特性；切割：从P面自动将硅片对准，从N面进行划片；裂片：自动对硅片进行裂片。本发明的有益效果是切割方向采用P面切割，省去了N面做切割道工序，节约成本，自动裂片效率更高，便于调节力度，崩边连芯比例更少。测试方式采用针排、针板测试，大幅提高测试效率，图像识别自动分选结合皮带自动化传递，提高工作效率，减少人工成本。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	天津;12
申请人：	天津环鑫科技发展有限公司
发明人：	梁效峰;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;王鹏;杨玉聪;韩义胜;杨伟;张妍
专利状态：	有效
申请号：	CN201710615642.6
公开号：	CN109304816A
代理机构：	天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213
代理人：	栾志超
分类号：	B28D5/00(2006.01)I;B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	300380 天津市西青区华苑产业区（环外）海泰东路12号A座二层
主权项：	1.一种硅片切割裂片工艺，其特征在于：包括如下步骤：测试：利用测试装置测试硅片的电学特性；切割：从P面自动将硅片对准，从N面进行划片；裂片：自动对硅片进行裂片。
所属类别：	发明专利