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一种钻石线切割半导体硅片的工艺
| 专利名称： | 一种钻石线切割半导体硅片的工艺 |
| 摘要： | 本发明提供了一种钻石线切割半导体硅片的工艺，采用钻石线设备对半导体硅片进行切割，在切割过程中，工作台下降速度为1.5‑2.5mm/min，钻石线切割线速为1100‑1400m/min，冷却液流量调节为80‑100L/min，冷却液温度为23‑28℃，钢线单片供线量为0.4‑1.5m/片。本发明所述的钻石线切割半导体硅片的工艺，具有单位公斤出片数提升、产能扩大大等优势，可有效降低现有半导体切磨片、抛光片成本，为大尺寸抛光片产品降本计划奠定有力基础。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 天津;12 |
| 申请人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 发明人： | 常雪岩;韩木迪;苏晓剑;谢艳;刘琦;武卫 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201910015468.0 |
| 公开号： | CN109435085A |
| 代理机构： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 |
| 代理人： | 王晓英 |
| 分类号： | B28D5/04(2006.01)I;B;B28;B28D;B28D5 |
| 申请人地址： | 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰东路12号内 |
| 主权项： | 1.一种钻石线切割半导体硅片的工艺，采用钻石线设备对半导体硅片进行切割，其特征在于：在切割过程中，工作台下降速度为1.5‑2.5mm/min，钻石线切割线速为1100‑1400m/min，冷却液流量调节为80‑100L/min，冷却液温度为23‑28℃，钢线单片供线量为0.4‑1.5m/片。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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